ソニー株式会社
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第9位 3568件
（
2010年：第9位 4235件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第2位 4247件
（2010年：第2位 4710件）
（ランキング更新日：2025年2月4日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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ソニー株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 4761041 | シリコン膜の形成方法 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4761026 | 素子転写装置、素子の転写方法および表示装置の製造方法 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4760915 | 固体撮像素子 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4760816 | リチウムイオン二次電池用正極及びリチウムイオン二次電池 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4760606 | 記憶素子及び記憶装置 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4760473 | 二次電池 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4760414 | 半導体装置の製造方法 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4760361 | 半導体装置 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4760058 | 記憶素子及びメモリ | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4760005 | 発光素子、発光素子の製造方法および表示装置 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4759900 | アルカリ亜鉛電池 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4759886 | 固体撮像装置 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4759821 | 半導体装置の製造方法 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4759819 | 半導体装置の製造方法 | 2011年 8月31日 | |
| 特許 4759783 | 二次電池の製造方法 | 2011年 8月31日 |
4245 件中 1291-1305 件を表示
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4761041 4761026 4760915 4760816 4760606 4760473 4760414 4760361 4760058 4760005 4759900 4759886 4759821 4759819 4759783
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