平成19(行ケ)10208審決取消請求事件

判決言渡 平成２０年２月２９日

平成１９年(行ケ)第１０２０８号 審決取消請求事件

口頭弁論終結日 平成２０年２月２７日

判 決

原 告 三 星 電 子 株 式 会 社

訴訟代理人弁理士 服 部 雅 紀

同 村 山 裕 朗

被 告 特 許 庁 長 官

肥 塚 雅 博

指 定 代 理 人 吉 野 公 夫

同 向 後 晋 一

同 山 本 章 裕

同 内 山 進

主 文

１ 原告の請求を棄却する。

２ 訴訟費用は原告の負担とする。

３ この判決に対する上告及び上告受理申立てのための付加期間を３０

日と定める。

事 実 及 び 理 由

第１ 請求

特許庁が不服２００５−２２４３９号事件について平成１９年１月３１日にした審決を取り消す。

第２ 事案の概要

本件は，発明の名称を「液晶表示装置の製造方法」とする後記特許の出願人である原告が，拒絶査定を受けたので，これを不服として審判請求をしたが，特許庁から請求不成立の審決を受けたことから，その取消しを求めた事案である。争点は，本願が，発明の名称を「薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法」とする公開特許公報（特開平６−２０２１５３号，出願人 富士通株式会社，公開日 平成６年７月２２日。以下これに記載された発明を「引用発明」という 。）との関係で進歩性を有するか（特許法２９条２項）である。

第３ 当事者の主張

１ 請求原因

（１）特許庁における手続の経緯

原告は ，平成８年１１月２０日にした原出願 特願平８−３０９４７２号。（優先権主張平成７年１１月２１日韓国及び平成８年４月３０日韓国）からの分割出願として，平成１６年１月５日，発明の名称を「液晶表示装置の製造方法」とする発明について特許出願（特願２００４−１５７５５４号，請求項の数３２，以下「本願」という。甲１）をしたが，平成１７年８月１８日に拒絶査定を受けたので，これに対する不服の審判請求をした。特許庁は，同請求を不服２００５−２２４３９号事件として審理し，その中で原告は平成１８年１２月１９日付けで特許請求の範囲等の変更を内容とする手続補正（以下「本件補正」という 。請求項の数１３ 。甲２）をしたが，特許庁は，平成１９年１月３１日 ，「本件審判の請求は，成り立たない 。」との審決（出訴期間として９０日が附加）をし，その謄本は平成１９年２月１３日原告に送達された。

（２）発明の内容

本件補正後の請求項の数は前記のとおり１３であるが，そのうち請求項１は次のとおりである 下線は補正部分 。（ 以下この発明を 本願発明 」「 という 。。）「 請求項１】【ＴＦＴ部及びパッド部の基板上に第１金属膜及び第２金属膜を順次に積層し，１次写真工程により前記第１金属膜及び前記第２金属膜をパターニングすることによって，前記第１金属膜の側面が前記基板に対してなす角度が，前記第２金属膜の側面が前記基板に対してなす角度より小さくなるようにゲート電極及びゲートパッドをＴＦＴ部及びパッド部にそれぞれ形成する段階と，ゲート電極及びゲートパッドが形成された前記基板の全面上に絶縁膜を形成する段階と，２次写真工程を用いてＴＦＴ部の前記絶縁膜上に半導体膜を形成する段階と，３次写真工程を用いてＴＦＴ部に第３金属膜からなるソース電極及びドレイン電極を形成する段階と，４次写真工程を用いてＴＦＴ部の前記ソース電極及び前記ドレイン電極上とパッド部の前記絶縁膜上とに，前記ドレイン電極の一部とパッド部における前記ゲートパッドの前記第２金属膜の上面とを露出させる保護膜パターンを形成する段階と，ＴＦＴ部の前記ドレイン電極に連結される第１画素電極パターンと，パッド部における前記ゲートパッドの前記第２金属膜の上面に連結される第２画素電極パターンとを，５次写真工程を用いて前記基板及び前記保護膜パターン上に形成する段階とを含み，前記第１金属膜は，前記第２金属膜と同じ厚さを有する又は前記第２金属膜より厚いことを特徴とするＴＦＴ基板の製造方法 。」

（３）審決の内容

ア 審決の内容は，別添審決写しのとおりである。その理由の要点は，本願発明は，その出願前に頒布された下記引用刊行物１，２に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたから，特許法２９条２項により特許を受けることができない，としたものである。記引用刊行物１：特開平６−２０２１５３号公報（甲３。以下「引用刊行物１」といい，そこに記載された発明が前記「引用発明」である。）引用刊行物２：特開平４−２１３４２７号公報（甲４。以下「引用刊行物２」という。）イ なお，審決は，上記判断に当たり，引用発明の内容を以下のとおり認定し，引用発明と本願発明との一致点及び相違点を，次のとおりとした。〈引用発明の内容〉「透明絶縁基板上に金属層を積層し，金属層をパターニングすることによって，ゲート電極及びゲート端子下部電極を前記透明絶縁基板上のＴＦＴ部及びゲート端子部となる箇所にそれぞれ形成する段階と，ゲート電極及びゲート端子下部電極が形成された前記透明絶縁基板の全面上に絶縁膜を形成する段階と，ＴＦＴ部の前記絶縁膜上に半導体膜，金属層からなるソース電極及びドレイン電極を形成する段階と，ＴＦＴ部の前記ソース電極及び前記ドレイン電極上とゲート端子部の前記絶縁膜上とに，前記ソース電極の一部とゲート端子部における前記ゲート端子下部電極の前記金属層の上面とを露出させる保護膜を形成する段階と，ＴＦＴ部の前記ソース電極に連結される画素電極と，ゲート端子部における前記ゲート端子下部電極の前記金属層の上面に連結されるゲート端子上部電極とを，前記基板及び前記保護膜上に形成する段階とを含む，ＴＦＴ基板の製造方法。」〈一致点〉「ＴＦＴ部及びパッド部の基板上に金属膜を積層し，１次写真工程により金属膜をパターニングすることによって，ゲート電極及びゲートパッドをＴＦＴ部及びパッド部にそれぞれ形成する段階と，ゲート電極及びゲートパッドが形成された前記基板の全面上に絶縁膜を形成する段階と，写真工程を用いてＴＦＴ部の前記絶縁膜上に半導体膜，第３金属膜からなるソース電極及びドレイン電極を形成する段階と，４次写真工程を用いてＴＦＴ部の前記ソース電極及び前記ドレイン電極上とパッド部の前記絶縁膜上とに，前記ドレイン電極の一部とパッド部における前記ゲートパッドの前記金属膜の上面とを露出させる保護膜パターンを形成する段階と，ＴＦＴ部の前記ドレイン電極に連結される第１画素電極パターンと，パッド部における前記ゲートパッドの前記金属膜の上面に連結される第２画素電極パターンとを，５次写真工程を用いて前記基板及び前記保護膜パターン上に形成する段階とを含む，ＴＦＴ基板の製造方法。」である点。〈相違点１〉本願発明では，ＴＦＴ部及びパット部の基板上に第１金属膜及び第２金属膜を，第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が，第２金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さくなるようにし，第１金属膜が第２金属膜と同じ厚さ又は第２金属膜より厚く，順次に積層しているのに対して，引用発明では，ＴＦＴ部及びパット部の基板上に１つの金属膜を形成している点。〈相違点２〉本願発明では，２次写真工程を用いてＴＦＴ部の前記絶縁膜上に半導体膜を形成する段階と，３次写真工程を用いてＴＦＴ部に第３金属膜からなるソース電極及びドレイン電極を形成する段階と，を含んでいるのに対して，引用発明では，１回の写真工程によって半導体膜，ソース電極，及びドレイン電極を形成している点。

（４）審決の取消事由（相違点１についての判断の誤り）

審決は，以下のとおり本願発明と引用発明との相違点１についての判断を誤ったものであるから，本願発明は引用刊行物１，２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく，審決は違法として取消しを免れない。ア ア） 審決は，（ 本願発明の第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が，

第２金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さくなるようにするこ

とに関して ，「具体的にどのような製法により，上記のような角度の関係となるのか明らかでない」とした（１３頁１２行∼１３行）。確かに審決のいうように，積層された第１金属膜６２及び第２金属膜６４を図２３に示される形状にパターニングする具体的な製法についての説明は，本願当初明細書（甲１）の【発明を実施するための最良の形態】（３頁以下）には記載されていない。しかし，金属層の側面に傾斜を付してパターニングする技術自体は ，特開平４−２０９３０号公報 甲（１１，３頁右下欄１０行∼１６行及び第１図）に記載があるように，公知技術である。したがって，第１金属膜６２及び第２金属膜６４を図２３に示される形状にパターニングする具体的な製法についての説明が記載されていないからといって ，「第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が，第２金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さくなるようにゲート電極及びゲートパッドを形成する」ことが開示されていないことにはならない。（イ）その上で審決は，「…引用刊行物２には，ゲート電極を２層の金属膜１２０ａ，１２０ｂで形成し，予め下層の金属膜１２０ａをエッチングし，上層の金属膜１２０ｂの両側でオーバハングを生じさせ，その後 ，上層の金属膜１２０ｂのオーバハング部だけエッチングすることが記載されており，この点は，本願発明の第４実施例において記載されている製造手順と同様である」（１３頁１４行∼１８行）とし ，「本願発明が，同じ製造手順により，第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が，第金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さくなっているのであるから，上記引用刊行物２に記載された方法で作製されたものも，同じように下層の金属膜の側面が基板に対してなす角度が，上層の金属膜の側面が基板に対してなす角度よりも小さくなる蓋然性が高いと言うべきである」と判断した（１３頁１８行∼２３行）。しかし，この判断は，本願当初明細書（甲１）の【図２０ 】ないし【図】，特に【図２３】の記載内容と，引用刊行物２の【図１ 】（１）ないし（６） 特に【図１】 ６）の記載内容との差を無視したものである。， （すなわち，引用刊行物２の【図１ 】（６）に示される下層の電極膜１ａと上層の電極膜１２ｂとの２層構造は，上記明細書（甲１）の【図】に示された第３実施例による第１金属膜５２と第２金属膜５４との積層構造に類似するものではあるが，上記明細書の【図１９】に示される積層構造とは異なる【図２３】に示される，第４実施例による第１金属膜６２と第２金属膜６４との積層構造とは全く異なるものである。本願当初明細書の【図２３】は，公知技術である具体的なパターニング方法が説明されていなくとも，本願発明の「…１次写真工程により前記第１金属膜及び前記第２金属膜をパターニングすることによって，前記第１金属膜の側面が前記基板に対してなす角度が，前記第２金属膜の側面が前記基板に対してなす角度より小さくなるようにゲート電極及びゲートパッドを…形成する」（特許請求の範囲【請求項１】の記載）という特徴を明らかにしたものである。これに対し，審決が引用刊行物２の２層の金属膜１２０ａ，１２０ｂのパターニング方法を「本願発明の第４実施例において記載されている製造手順と同様である」（１３頁１７行∼１８行）と誤認し，「本願発明が，同じ製造手順により，第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が，

第２金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さくなっているのであ

るから，上記引用刊行物２に記載された方法で作製されたものも，同じように下層の金属膜の側面が基板に対してなす角度が，上層の金属膜の側面が基板に対してなす角度よりも小さくなる蓋然性が高い」（１３頁行∼２３行）と判断したのは，引用刊行物２の【図１ 】（１）ないし（６），特に【図１】（６）の記載内容を誤認したものであり，引用刊行物２記載の発明の認定を誤ったものである。引用刊行物２に記載された方法で形成された下層の電極膜１２ａ及び上層の電極膜１２ｂからなるゲート電極１２の側面は ，【図１】から明らかなように，基板１に対して略垂直に描かれており，この発明者には ，「下層の金属膜の側面が基板に対してなす角度が上層の金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さい」との認識が全くない。したがって，引用刊行物２に記載された発明に基づいて本願発明の進歩性を判断する場合において，引用刊行物２の図面に明示されている内容をその発明者の意図・認識を超えて拡大解釈し，その解釈に基づいて本願発明の進歩性を否定する根拠とすることは妥当ではない。（ウ） また上記認定を前提として，審決が，「引用発明に上記引用刊行物２に記載された方法を適用し，ゲート電極を第１金属膜，第２金属膜で積層形成する際に，第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が，第金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さくなるようにすることは，当業者が容易に想到し得る程度のことにすぎない 」（１３頁２５行∼２９行）と判断したことは妥当でない。すなわち，引用発明に引用刊行物２に記載された方法を適用することにより，第１金属膜及び第２金属膜を順次に積層し，写真工程により第１金属膜及び第２金属膜をパターニングすることによって，ゲート電極を形成すること，そしてそのパターニングの際に，ゲート電極にアンダーカットが発生しないようにする特定の方法（引用刊行物２に記載された方法）を採用することについては，当業者が容易に想到し得るとしても，ゲート電極にアンダーカットが発生しないようにする方法として，ゲート電極を積層形成する第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が，第２金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さくなるようにすることまで，当業者が容易に想到し得るものではない。イ（ア） さらに審決は，「…本願発明において，第１金属膜と第２金属膜の角度の関係を上記のようにすることについての技術的意義は明らかにされて」いない（１３頁３２行∼３３行）と判断した。しかし，本願当初明細書（甲１）に，「…本発明の第１実施例におけるゲート電極を構成する前記第１金属膜２２及び第２金属膜２４は一つのマスクを用いて蝕刻される。従って，図１２に示すようにゲート電極にアンダーカットが発生し得る。よって，後続される絶縁膜（図１１の参照符号２６）の蒸着工程で絶縁膜２６のステップカバレージが不良になるため，絶縁特性が低下する恐れがある。以下，本発明の第２乃至第４実施例ではゲート電極にアンダーカットが発生しないようにする方法を提示する 。 （段落【００２７】 ，」 ） 「図２０乃至図２３は本発明の第４実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図であり，ゲート電極を形成する段階まで示されている。…」（段落【００３５】）とそれぞれ記載されているように，本願当初明細書の【図２３】に示される第４実施例による第１金属膜６２及び第２金属膜６４の積層構造は，ゲート電極にアンダーカットが発生しないようにする方法の一つであるという技術的意義を有していることは明らかである。さらに，本願当初明細書（甲１）の【図２３】に示される第４実施例による第１金属膜６２及び第２金属膜６４の積層構造を，同明細書の 図【】に示される第３実施例による積層構造，又は，引用刊行物２の 図【】（６）に示される下層の電極膜１２ａと上層の電極膜１２ｂとの２層構造と比較すると，上記明細書【図２３】に示される第１金属膜６２と第２金属膜６４の角度の関係により，後続の蒸着工程で絶縁膜のステップカバレージが良好になるために絶縁特性が向上するという点で，本願当初明細書（甲１）の第４実施例による第１金属膜６２及び第２金属膜６４の積層構造は，同明細書の第３の実施例による第１金属膜５２及び第２金属膜５４の積層構造，又は，引用刊行物２における下層の電極膜１２ａと上層の電極膜１２ｂとの２層構造よりも優れた技術的意義を有していることは，当業者であれば当然に推測できるものである。そして，このような本願発明において第１金属膜と第２金属膜の角度の関係を上記のようにすることについての技術的意義を考慮すると，審決が「本願発明によってもたらされる効果は，引用刊行物１，２に記載されたものが当然に奏する程度のものであり，格別のものとはいえない」（１４頁１２行∼１３行）とした点も妥当ではない。（イ） さらに審決は，「従来の問題点として提示されている図１２においても同じ角度の関係になっていることから，上記角度の関係は本願発明の製造方法としての特別な構成というよりは，単に第１金属膜へのアンダーカットの発生を図面上表現するための単なる図示にすぎないとも解され，そのような点からも，上記角度の関係とすることに困難性があるとはいえない」（１３頁下６行∼下２行）とした。しかし，上記のように，本願明細書の【図１２】は，審決のいうような「従来の問題点として提示されている」ものではなく，本願発明の第１実施例における問題点として提示されているものであり（同明細書段落【００２７】，この問題点を解決するものの一つとして第４実施例を）開示し，本願発明の完成を意図しているのである。ウ 以上のとおり，審決が，相違点１につき引用発明に上記引用刊行物２に記載された方法を適用し，ゲート電極を第１金属膜，第２金属膜で積層形成する際に第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が第２金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さくなるようにすることは，当業者が容易に想到し得る程度のことにすぎないとした判断は誤りである。エ

（被告の主張）

に対しもっとも被告は，特開平６−３０１０６４号公報（乙１ ），特開平５−１７３１７７号公報（乙２），特開平６−２３０４２８号公報（乙３）を引用して，「アルミニウム層の上に所定パターンのフォトレジストとタンタル層あるいはフォトレジストからなるマスクを設け，該アルミニウム層をウェットエッチング（湿式エッチング）することにより，その側面が基板に対して傾斜したものとなることは，…この分野ではよく知られた事項である」と主張する。しかし，

（原告の主張）

は，等方的エッチングに分類される湿式エッチングを用いても，アルミニウム膜の側面が基板に対して傾斜するようにエッチングすることが可能であると共に，アルミニウム膜の側面が基板に対して略垂直に近くなるようにエッチングすることも可能であることから，被告主張の，発明者に下層の金属膜の側面が基板に対してなす角度が上層の金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さいとの認識が全くなかったかどうかにかかわりなく，「引用刊行物２に記載された方法で作製されたものも，同じように下層の金属膜の側面が基板に対してなす角度が，上層の金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さくなる蓋然性が高いと言うべきである 」（審決１３頁２１行∼２３行）と断定することは妥当ではないというものである。したがって，審決が「引用発明に上記引用刊行物２に記載された方法を適用し，ゲート電極を第１金属膜，第２金属膜で積層形成する際に，第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が，第２金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さくなるようにすることは，当業者が容易に想到し得る程度のことにすぎない」（１３頁２５行∼２９行）とした判断も妥当ではないということである。請求原因に対する認否請求の原因（１）（２）（３）の各事実はいずれも認めるが，同(4)は争う。・ ・被告の反論審決の判断は正当であり，原告主張の誤りはない。

（１）

（原告の主張）

ア（ア）に対し原告が公知技術として例示する特開平４−２０９３０号公報（発明の名称「配線構造 」 出願人 日本電信電話株式会社 ，公開日 平成４年１月２４日，，甲１１。３頁右下欄１０行∼１６行及び第１図）には，「ガラス基板１０上にＡｌを０．１μｍ，Ｃｒ１％含有Ｍｏを０．０５μｍ連続堆積し，レジストパタン形成後，通常のＡｌエッチング液，すなわち硝酸を含有する燐酸液により積層膜を連続エッチングし，ゲート電極およびゲートバス１を形成し」「パタンの側壁の傾斜」を「約５０°」とする配線構造の製造方法が記，載されている。一方，本願当初明細書（甲１）には，原告も認めるとおり，積層された第１金属膜６２及び第２金属膜６４を【図２３】に示される形状にパターニングするための具体的な製法に関する説明は記載されていない。すなわち，同明細書には，本願発明において具体的にどのような製法（例えば，第１金属膜及び第２金属膜の膜厚，エッチャントの種類，温度，時間等をどのように設定するのか 。）を採用すれば同明細書の【図２３】に示されたような角度の側面を有する第１金属膜と第２金属膜を得ることができるのかに関して具体的な開示はされていないから，上記公知の文献が存在するからといって，本願発明において ，「第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が，第２金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さくなるようにゲート電極及びゲートパッドを形成する」ための具体的な製法は明らかである，ということはできない。したがって，審決が ，「具体的にどのような製法により，上記のような角度の関係となるのか明らかでない」とした点に誤りはない。

（２）

（原告の主張）

ア(イ)に対しア 本願明細書（甲１）には，以下の記載がある。「図１３乃至図１６は本発明の第２実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図であり，ゲート電極を形成する段階までを示している。…詳しくは，まず透明な基板４０上にアルミニウム又はアルミニウム合金を２，０００Å−４，０００Å程度の厚さで蒸着して第１金属膜４２を形成する。次に，前記第１金属膜４２上にクロム（Ｃｒ）等の耐火性金属を５００Å−２，０００Åの厚さで蒸着してキャッピング膜として用いられる第２金属膜４４を形成する。…また，前記第２金属膜４４はクロム（Ｃｒ）の他に…チタン（Ｔｉ）を用いて形成することができる。【００２８】」「図２０乃至図２３は本発明の第４実施例による液晶表示装置に製造方法を説明するための断面図であり，ゲート電極を形成する段階まで示されている。図２０はゲート電極用の導電膜である第１金属膜６２と第２金属膜６４及びフォトレジストパターン６６を形成する段階を示したものであり，第２及び第３実施例と同一に行われる。【００３５】」「図２１は第２金属膜６４を蝕刻する段階を示したものであり，前記フォトレジストパターン６６をマスクとして前記第２金属膜６４を湿式蝕刻する。…図２２は第１金属膜６２を蝕刻する段階を示したものであり，前記パタニングされた第２金属膜６４をマスクとして第１金属膜６２を湿式蝕刻すると，図２２に示すようにゲート電極にアンダーカットが形成される。【００３６】」「図２３は第２金属膜６４を更に蝕刻する段階を示したものであり，パタニングされた第２金属膜６４を更に湿式蝕刻すると第１金属膜６２の下部の幅が前記第２金属膜６４の幅より広くなり，結果的にゲート電極のアンダーカットが取り除かれる。… 」【００３７】イ 上記によれば，本願当初明細書の第４実施例には，まず透明な基板上にゲート電極用導電膜となる第１金属膜６２（アルミニウム）と第２金属膜６４（チタン），及びフォトレジストパターン６６とを形成し，次に該フォトレジストパターン６６をマスクとして上記第２金属膜６４を蝕刻（エッチング）し，次いでパタニングされた第２金属膜６４をマスクとして上記第１金属膜６２を湿式蝕刻（湿式エッチング）し，その後パタニングされた第２金属膜６４を更に蝕刻して第１金属膜６２の下部の幅を第２金属膜６４の幅より広くしてゲート電極のアンダーカットを取り除くものが記載されており，それ以上の記載はない。したがって，上記明細書の【図２０】ないし【図２３】も参照すれば，上記各工程のうち，「パタニングされた第２金属膜６４をマスクとして第１金属膜６２を湿式蝕刻（湿式エッチング ）」を行うことにより，上記第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が上記第２金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さいゲート電極が形成されるものと解される。一方，引用刊行物２には，ガラス基板上に，いずれも上記明細書の第４実施例と同じ材料であるＡｌ（アルミニウム）膜からなる下層の金属膜１２０ａとＴｉ（チタン）膜からなる上層の金属膜１２０ｂとレジストパターン５とを形成し，次に該レジストパターン５をマスクとして上層の金属膜１２０ｂをエッチングしてＴｉ膜パターン１２０’ｂを形成し，次いで下層のＡｌ金属膜１２０ａを燐酸系混合水溶液（燐酸＋硝酸＋酢酸＋水）によりエッチング（湿式エッチング）して下層のＡｌ電極膜１２ａを形成し，その後上記Ｔｉ膜パターン１２０’ｂの両側に生じているオーバハングだけをエッチング除去するものが記載されている（ ００１５】∼【０【】。）すなわち，上記引用刊行物２には，ゲート電極を，本願発明と同じ金属膜材料を用いて本願発明と同様の製造手順，すなわち，ゲート電極をアルミニウムからなる下層の金属膜とチタンからなる上層の金属膜とで形成し，上層のチタン金属層をエッチングした後，下層のアルミニウム金属膜を湿式エッチングして上層のチタン金属膜の両側でオーバハングを生じさせ，その後上層のアルミニウム金属膜のオーバハング部だけエッチングして製造するものが記載されているといえるから，引用刊行物２に記載された方法で作成されたゲート電極も，本願発明のものと同様に，下層の金属膜の側面が基板に対してなす角度が上層の金属膜の側面が基板に対してなす角度よりも小さくなる蓋然性が高い。ちなみに，この点は，原告が公知の技術であるとして例示する前記特開平４−２０９３０号公報（甲１１）において，同様の湿式エッチングを行うことにより，その側壁が傾斜した積層膜ゲート電極が形成されることからも裏付けられる。したがって，審決が ，「…引用刊行物２に記載された方法で作製されたものも，同じように下層の金属膜の側面が基板に対してなす角度が，上層の金属膜の側面が基板に対してなす角度よりも小さくなる蓋然性が高いと言うべきである 」（１３頁２１行∼２３行）とした点に誤りはない。そして，「引用発明に上記引用刊行物２に記載された方法を適用し，ゲート電極を第１金属膜，第２金属膜で積層形成する際に，第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が，第２金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さくなるようにすることは，当業者が容易に想到し得る程度のことにすぎない」（１３頁２５行∼２９行）とした審決の判断にも誤りはない。

(3)

（原告の主張）

イに対し本願発明は，「前記第１金属膜の側面が前記基板に対してなす角度が，前記第２金属膜の側面が前記基板に対してなす角度より小さくなるように」ゲート電極及びゲートパッドを形成することを規定するものである。しかるに，このような角度の関係は，本願当初明細書（甲１）の【図１２】に示された

第１実施例のものにおいても満たされるものである。そして ，この 図１２ 】

【に示されたものにおいては，同明細書の段落【００２７】に記載されているように ，「ゲート電極にアンダーカットが発生し得る」のであるから，上記角度の関係が，「ゲート電極にアンダーカットが発生しないようにする方法の一つであるという技術的意義を有している」とする

（原告の主張）

は当を得たものではない。また，同明細書の【図２３】に示される第４実施例の積層構造のゲート電極によれば，第１金属膜と第２金属膜の角度の関係を，「第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が，第２金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さくなるように」することにより，ゲート電極にアンダーカットが発生せず，後続される絶縁膜の蒸着工程で絶縁膜のステップカバレージが不良になるのを防ぐことができることを，当業者は理解することができる。しかし，同明細書の【図１６】に示される第２実施例による積層構造あるいは同【図１９】に示される第３実施例による積層構造ではなく，本願発明として敢えて同【図２３】に示された第４実施例の積層構造の製造方法を選択した技術的意義については同明細書中に全く記載されておらず，同明細書及び図面を見る限り，その技術的意義は十分に明らかにされているということはできない。したがって，審決が ，「本願発明において，第１金属膜と第２金属膜の角度の関係を上記のようにすることについての技術的意義は明らかにされておらず」（１３頁３３行∼３３行）とした点に誤りはない。そして，審決が「本願発明によってもたらされる効果は，引用刊行物１，２に記載されたものが当然に奏する程度のものであり，格別のものとはいえない」（１４頁１２行∼１３行）とした点も，上記のとおり本願発明の技術的意義が明らかでない以上，妥当である。

（４） そもそも，アルミニウム層の上に所定パターンのフォトレジストとタ

ンタル層あるいはフォトレジストからなるマスクを設け，該アルミニウム層をウェットエッチング（湿式エッチング）することにより，その側面が基板に対して傾斜したものとなることは，例えば，特開平６−３０１０６４号公報（発明の名称「ＭＩＭ型非線形素子及びその製造方法」，出願人 セイコーエプソン株式会社，公開日 平成６年１０月２８日 。乙１，段落【００２４】∼【００２６ 】 【図２ 】， （ａ），(ｂ) ），特開平５−１７３１７７号公報（発明の名称「薄膜トランジスタ基板およびその製造方法ならびに液晶表示パネルおよび液晶表示装置 」，出願人 株式会社日立製作所，公開日 平成５年７月１３日。乙２，７頁右欄２１行∼３４行，【図１】(ａ)，(ｂ)），特開平６−２３０４２８号公報（発明の名称「液晶表示装置およびその製造方法」，出願人 株式会社日立製作所，公開日 平成６年８月１９日。乙３，段落【００５３】∼【００５４ 】 【図１２】， ）等にも記載されているように，この分野ではよく知られた事項である。したがって，その発明者に，下層の金属膜の側面が基板に対してなす角度が上層の金属膜の側面が基板に対してなす角度よりも小さいとの認識が全くなかったかどうかにはかかわりなく ，「引用刊行物２に記載された方法で作製されたものも，同じように下層の金属膜の側面が基板に対してなす角度が，上層の金属膜の側面が基板に対してなす角度よりも小さくなる蓋然性が高いと言うべきである」（審決１３頁２１行∼２３行）とした審決の判断には誤りはない。

第４ 当裁判所の判断

請求原因（１） 特許庁における手続の経緯）（２） 発明の内容）（３） 審（ ， （ ， （決の内容）の各事実は，いずれも当事者間に争いがない。取消事由の有無

（１） 原告の主張アについてア 原告は，審決が，本願発明の第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が第２金属膜の側面が基板に対してなす角度より小さくなるようにすることに関して ，「具体的にどのような製法により，上記のような角度の関係となるのか明らかでない」とし「上記引用刊行物２に記載された方法で作製されたものも，同じように下層の金属膜の側面が基板に対してなす角度が，上層の金属膜の側面が基板に対してなす角度よりも小さくなる蓋然性が高いと言うべきである」とした認定は誤りである旨主張する。イ 引用刊行物２（特開平４−２１３４２７号公報，発明の名称「多層金属膜電極配線の製造方法」，出願人 富士通株式会社，公開日 平成４年８月４日，甲４）には，以下の記載がある。【０００１】【産業上の利用分野】本発明は多層金属膜電極配線の製造方法に関する。詳しくは，アクティブマトリクス型液晶表示パネルに用いる薄膜トランジスタの多層金属膜ゲート電極配線の端面形状を揃えてなだらかにし，その上にゲート絶縁膜を形成したときに前記ゲート電極配線の端面部から欠陥が発生するのを防止するようにした多層金属膜電極配線の製造方法に関する。【０００７】図５は従来の薄膜トランジスタの多層金属膜ゲート電極配線の例を示す図で，同図 イ）（ は図４に示したＸ−Ｘラインに沿う断面図であり，同図 ロ）（は上面図である。【０００８】たとえば，ガラスなどの透明基板１１の上にゲート電極１２’（たとえば，導電性のよいアルミニウムＡｌを下層の金属膜１２’ａとし，その上に表面保護用の高融点金属であるＴｉを上層の金属膜１２ ’ｂとした構成にしてある）が形成され，次いで，ゲート絶縁膜１３，たとえば，ＳｉＯ ２膜，動作半導体層などが，たとえば，プラズマＣＶＤ法で形成され，さらに，コンタクト層１を挟んで図示したごとくドレイン電極１６，ソース電極１７が形成されて薄膜トランジスタが構成されている。【００１０】【発明が解決しようとする課題】しかし，上記の薄膜トランジスタのゲート電極’を形成する際に，従来は下層の金属膜であるＡｌを，たとえば，燐酸＋硝酸＋酢酸の混合水溶液でエッチングしたあと，上層の金属膜であるＴｉを，たとえば，ＣＦ４＋Ｏ２の混合ガス中でリアクティブイオンエッチングしているので，Ａｌが後段の等方性エッチングでサイドエッチングされて，その端面は図示したごとくＴｉのオーバハング構造を形成し，その結果図５に示したごとく，端面部に多数の気泡が残り後工程で生成するゲート絶縁膜１３や動作半導体層１５に欠陥４を生じ，薄膜トランジスタのリーク電流が増大するなどの重大な問題があり，その解決が求められている。【００１５】工程（１）：たとえば，ガラスなどからなる透明な基板１１の上に下層の金属膜１２０ａとして，たとえば，厚さ１００ｎｍのＡｌ膜（導電性のよい膜）を蒸着し，その上に上層の金属膜１２０ｂとして，たとえば，厚さ４０ｎｍのＴｉ膜（耐熱性のよい保護膜）をスパッタする。【００１６】工程（２）：上記処理基板にゲート電極を形成したい領域にレジストトパターン５を形成する。工程（３）：上記処理基板の上層の金属膜１２０ｂ，すなわち，Ｔｉ膜をレジストトパターン５をマスクとし，たとえば，ＳＦ４ガスによるＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）により，Ｔｉ膜パターン１２０’ｂを形成する。【００１７】工程（４）：上記処理基板を燐酸系混合水溶液（燐酸＋硝酸＋酢酸＋水）により，下層の金属膜１２０ａ，すなわち，Ａｌ膜をエッチングして下層の電極膜１２ａを形成する。この時，Ａｌは等方的にエッチングされるためサイドエッチが進行して図示したごとく，Ｔｉ膜パターン１２０’ｂの両側でオーバハングが生じる。【００１８】工程（５）：上記処理基板を再度，たとえば，ＳＦ４ガスによる適度のＲＩＥを行って，Ｔｉ膜パターン１２０’ｂの両側に生じているオーバハングだけをエッチング除去して上層の電極膜１２ｂを形成する。この時，この条件のＲＩＥではＡｌは殆どサイドエッチされることはない。ウ 上記イの記載から，引用刊行物２に記載された薄膜トランジスタのゲート電極の製造方法の発明は，①下層の導電性のよいアルミニウム Ａｌ）（ 膜と，上層の高融点金属であるチタン（Ｔｉ）膜とから構成されるゲート電極を形成する際，従来の方法を用いたのでは，アルミニウムがサイドエッチングされてチタン膜の端面がオーバーハングした状態となり，薄膜トランジスタの特性に悪影響を及ぼすという技術課題の認識のもと，②下層のアルミニウム膜と上層のチタン膜を形成し（工程（１），③その後，まず，上層のチタン）膜をＳＦ４ガスによるリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）でチタン膜パターンを形成し（工程（２），④次に，下層のアルミニウム膜を燐酸系混）合水溶液（燐酸＋硝酸＋酢酸＋水）により等方的なエッチングを行う（工程（４））ところ，その際アルミニウム膜のエッチングが等方的に進行するため，アルミニウム膜がサイドエッチされてチタン膜パターンの両側でオーバーハングが生じる，⑤その後，再度，ＳＦ４ガスによるリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を行い，チタン膜パターンの両側に生じているオーバーハングだけをエッチング除去するが，この条件のリアクティブイオンエッチングでは，下層のアルミニウムは殆どサイドエッチされない，⑥このようにして上層の電極膜を形成するようにしたものである ，ということが分かる。要するに，引用刊行物２記載の発明は，燐酸系混合水溶液（燐酸＋硝酸＋酢酸＋水）による下層のアルミニウム膜の等方的エッチングで生じる上層のチタン膜パターンの両側でのオーバーハングを，引き続く，ＳＦ４ガスを用いたリアクティブイオンエッチングにより除去するものであり，燐酸系混合水溶液による湿式エッチングと，ＳＦ４ガスを用いたリアクティブイオンエッチングとで，アルミニウムに対するエッチングの特性が異なることを利用したものといえる。エ ところで，アルミニウム膜を，その上に設けられたパターンをマスクとして等方的にエッチングした場合，マスクのない部分とマスクの端面とからアルミニウム膜を徐々に等方的にエッチングしていくことになることから，エッチングされた側面は，多かれ少なかれ，基板に対して傾斜を持った傾斜面となるものと考えられる。このことに関する公知技術を示す文献として，前記乙１ないし乙３があり，その記載は以下のとおりである。（ア） 乙１（特開平６−３０１０６４号公報，発明の名称「ＭＩＭ型非線形素子及びその製造方法 」，出願人 セイコーエプソン株式会社，公開日平成６年１０月２８日）【００２４】次に，タンタル層２０３をパターニングする際に塗布したフォトレジスト２０４を残したまま，これらをマスクとしてアルミニウム層２０２を図２（ｂ）に示すようにパターニングする。【００２５】アルミニウム層２０２はウェットエッチング法でエッチングし，ここで用いたエッチング液は，燐酸／硝酸／酢酸を２０：１：３の割合で混合し，４０℃まで加熱したものである。【００２６】図２（ｂ）の状態では，アルミニウム層２０２がサイドエッチングされておりタンタル層２０３がオーバーハング状態となっている。このままで陽極酸化を行い素子絶縁膜を形成すると，オーバーハングの状態はそのまま残されてしまい，この後の第２の金属電極層を形成したときに断線が発生してしまい，欠陥の原因となる。（４頁左欄１５行∼２９行）【図２】（イ） 乙２（特開平５−１７３１７７号公報，発明の名称「薄膜トランジスタ基板およびその製造方法ならびに液晶表示パネルおよび液晶表示装置」，出願人 株式会社日立製作所，公開日 平成５年７月１３日）「つぎに，図１(ａ)に示すように，膜厚が２８００Åのパラジウムを１原子％含むアルミニウムからなる第２導電膜ｇ２をスパッタリングにより設けたのち，レジストＲＳＴを設ける。つぎに，図１(ｂ)に示すように，エッチング液としてリン酸と硝酸と氷酢酸との混酸を使用した写真蝕刻技術で第２導電膜ｇ２を選択的にエッチングすることにより，走査信号線ＧＬ，ゲート電極ＧＴおよび保持容量素子Ｃ add の電極ＰＬ１を形成する。この場合，リン酸，硝酸，氷酢酸の比率が３：１：５の混酸を使用することによりテーパエッチングし，第２導電膜ｇ２の端面の下部透明ガラス基板ＳＵＢ１に対する傾斜角を１５∼５０度とする。なお，第２導電膜ｇ２の端面の傾斜角は混酸の液組成とくに氷酢酸の濃度により制御することができる 。 （７頁右欄２１」行∼３４行）【図１】（ウ） 乙３（特開平６−２３０４２８号公報。発明の名称「液晶表示装置およびその製造方法 」，出願人 株式会社日立製作所，公開日 平成６年８月１９日）【００５３】図１２∼図１３は上記実施例の別の製造工程を示す断面図である。【００５４】ガラス基板１上にＴａ 1-x Ｎ x 膜１００，Ａｌ膜１１をスパッタリングにより連続的に堆積しホトリソグラフィ技術を用いて所定の形状のレジストパターン３００を形成し，混酸を用いた通常のウエットエッチング法によりＡｌ電極１１をパターニングする（図１２）。次に，同じレジストパターン３００を用い，臭化水素（ＨＢｒ）と３塩化硼素（ＢＣｌ 3)の混合ガスプラズマを用いたリアクティブイオンエッチング法によりＴａ 1-x Ｎ x 電極をパターニングする(図１３)。以下，陽極酸化法によりＴａ 1-x Ｎｘ膜１００，Ａｌ膜１１の表面及び側面に Ta2OxNy 膜２０１，Ａｌ 2 Ｏ 3 膜２１を形成する工程以降は前述の製造工程と同様に実施する。この製造方法に依れば，Ａｌ電極１１をウエットエッチング法で加工するためＡｌ電極には数μｍのサイドエッチングが生じる。また，Ｔａ 1-x Ｎ x 電極は最初に形成したレジストをマスクとしたリアクティブイオンエッチングに依り異方性エッチングで加工するため，サイドエッチングは殆ど生じない。従って，エッチング後の積層電極の加工形状は，Ｔａ 1-x Ｎｘ電極の幅がＡｌ電極よりも広くなり，これを陽極酸化することにより階段状の断面形状を実現できる 。（６頁右欄１８行∼４０行）【図１２】オ 上記各記載によれば，乙１ないし乙３には，燐酸系混合水溶液による湿式エッチングでアルミニウム膜をパターニングした場合に，エッチングされた側面が傾斜面となっているものが示されている。そうすると，引用刊行物２の薄膜トランジスタのゲート電極では，その下層を構成するアルミニウム膜のパターンの側面は，基板に対して，多かれ少なかれ，傾斜をもった傾斜面となっていると考えられる。そして，上記イ，ウのとおり，引用刊行物２の薄膜トランジスタの製造方法では，上層のチタン膜の両端に生じているオーバーハングをＳＦ４ガスを用いたリアクティブイオンエッチングで除去する間，下層のアルミニウム膜はほとんどサイドエッチされないのであるから，アルミニウム膜の側面の傾斜は，そのまま保持されると考えられる。したがって，引用刊行物２の薄膜トランジスタでは，ゲート電極を構成する下層のアルミニウム膜の側面は，基板に対して，多かれ少なかれ傾斜を有しているものと認められる。カ 一方，湿式エッチングを用いた場合の金属膜の側面の傾斜の大きさは，膜の厚さ，エッチングの温度，時間等の条件により変化するものである。そして，引用刊行物２において，ゲート電極を構成する上層のチタン膜の側面の傾斜については，下層のアルミニウム膜の側面の傾斜よりも大きくなければならないという理由は見当たらず，また，下層と上層とでは，材質も，エッチングの方法もまったく異なる（上記イ，ウのとおり，下層はアルミニウム膜であり燐酸系混合水溶液による湿式エッチングであり，上層はチタン膜でありＳＦ４ガスを用いたリアクティブイオンエッチングである。）から，引用刊行物２に記載された方法で作製された薄膜トランジスタでは，ゲート電極を構成する下層の金属膜の側面が基板に対してなす角度は，上層の金属膜の側面が基板に対してなす角度よりも小さくなることが多いものと推定できる。上記によれば， 上記引用刊行物２に記載された方法で作製されたものも，「同じように下層の金属膜の側面が基板に対してなす角度が，上層の金属膜の側面が基板に対してなす角度よりも小さくなる蓋然性が高いと言うべきである」（１３頁２１行∼２３行）との審決の判断に誤りはない。キ 原告は，引用刊行物２では，金属膜の側面は垂直に画かれており，引用刊行物２では角度を異ならせることは認識されていないと主張する。しかし，引用刊行物２の図面は，金属膜の側面の形状について，既に検討したエッチングの特性を考慮すれば，実際の形状を正確に反映したものとは認められないし，また，引用刊行物２に記載された方法で作製された薄膜トランジスタにおいても，下層の金属膜の側面が基板に対してなす角度が，上層の金属膜の側面が基板に対してなす角度よりも小さくなることが多いと考えるのが，自然であり合理的であることも ，既に検討したとおりであるから ，原告の主張は採用することができない。ク そして，本件補正後の明細書（甲１，２）の記載を精査しても，エッチングの方法については，湿式蝕刻又は乾式蝕刻を行うことと，湿式蝕刻する場合はアンダーカットが発生すること以外に，具体的な記載がなく，エッチング方法に特別の工夫を要求していない。このことも，引用刊行物２に記載された薄膜トランジスタのゲート電極の製法によれば，本願発明と同様，ゲート電極を構成する下層の金属膜の側面が基板に対してなす角度は，上層の金属膜の側面が基板に対してなす角度よりも小さくなることが多いとの認定を裏付けるものといえる。ケ なお原告は，審決が「第１金属膜と第２金属膜の角度の関係については，図２２，図２３から読み取れることにすぎず，具体的にどのような製法により，上記のような角度の関係となるのか明らかでない」（１３頁１１行∼１３行）としたのは妥当でない旨主張する。しかし，そもそも本件補正後の明細書（甲１，２）には，具体的にどのような製法をとれば第１金属膜と第２金属膜との角度が形成されるのかの記載が全くないことは審決の認定したとおりであり，この点につき公知技術を適用して金属層の側面に傾斜を付してパターニングする方法をとることについて上記明細書（甲１，２）には開示も示唆もなく，原告の上記主張は採用の限りではない。加えて，当業者（その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者）が，引用刊行物２に記載された薄膜トランジスタのゲート電極の製造方法を，引用刊行物１に記載された薄膜トランジスタ基板の製造方法に適用した場合は，既に検討したように，多くの場合，「基板上に第１金属膜及び

第２金属膜を，第１金属膜の側面が基板に対してなす角度が，第２金属膜の

側面が基板に対してなす角度より小さくなる 」ように形成されることとなり ，審決の認定した相違点１に係る構成がもたらされるものである。この審決の相違点１に関する認定，判断については，本願の請求項１に規定された金属膜の側面の角度関係をもたらすような製法が上記明細書（甲１，２）に具体的に記載されていないこととそもそも関係がないということができ，原告の上記主張は採用の限りではない。

(2) 原告の主張イについてア 原告は，審決が「本願発明において，第１金属膜と第２金属膜の角度の関係を上記のようにすることについての技術的意義は明らかにされて」いないとした認定判断は誤りであると主張する。(ア) しかし，この点につき，下層の第１金属膜と上層の第２金属膜の角度の関係について，本願の特許請求の範囲の請求項１には，「ＴＦＴ部及びパッド部の基板上に第１金属膜及び第２金属膜を順次に積層し，１次写真工程により前記第１金属膜及び前記第２金属膜をパターニングすることによって，前記第１金属膜の側面が前記基板に対してなす角度が，前記第２金属膜の側面が前記基板に対してなす角度より小さくなるようにゲート電極及びゲートパッドをＴＦＴ部及びパッド部にそれぞれ形成する段階と」とあるだけで，オーバーハングの有無については，何ら規定されていない 。そうすると，本願当初明細書（甲１）の【図１２】に示されるような，下層の第１金属膜２２がアンダーカットされて上層の第２金属２４がオーバハングの状態になっているものも，【図２３】に示されるような，上層の

第２金属膜６４の端部が取り除かれてオーバーハングがない状態になって

いるものも，等しく本願の特許請求の範囲の請求項１の記載に包摂されることとなる。(イ) また原告は，本願の特許請求の範囲の請求項１の発明に対応するものは，上記明細書の【図２０】ないし【図２３】に示される第４実施例であり，これによれば，第１金属膜６２及び第２金属膜６４の積層構造は，ゲート電極にアンダーカットが発生しないようにする方法の一つであるという技術的意義を有していることが明らかであると主張する。しかし，この主張は，ゲート電極のオーバーハングが除去されることを前提とするものと認められるところ，請求項１にはオーバーハングについて何ら規定されていないことは，前記のとおりである。したがって，オーバーハングが除去された構造を前提とする原告の上記主張は，特許請求の範囲の記載に基づかないものである。(ウ) そして，オーバーハングの有無とは関係なしに，下層の第１金属膜と上層の第２金属膜の角度の関係について本願発明のような構成とする技術的意義については，本件補正後の明細書（甲１，２）に記載がなく，また，このことが技術常識に照らして明らかであるという証拠もない。(エ) 以上の検討によれば，原告の上記主張は採用することができない。イ(ア) なお原告は，審決が「従来の問題点として提示されている図１２においても同じ角度の関係になっていることから，上記角度の関係は本願発明の製造方法としての特別な構成というよりは，単に第１金属膜へのアンダーカットの発生を図面上表現するための単なる図示にすぎないとも解され，そのような点からも，上記角度の関係とすることに困難性があるとはいえない」 １３頁下６行∼下２行）とした点に関し ，本願当初明細書（甲（１）の【図１２】は，従来の問題点として提示されているものではなく，本願発明の第１実施例における問題点として提示されているものであり，この問題点を解決するものの一つとして第４実施例を開示し，本願発明の完成を意図しているとも主張する。(イ) この点につき，上記明細書の段落【００２７】には，以下の記載がある。「…従って，図１２に示すようにゲート電極にアンダーカットが発生し得る。よって，後続される絶縁膜（図１１の参照符号２６）の蒸着工程で絶縁膜２６のステップカバレージが不良になるため，絶縁特性が低下する恐れがある。以下，本発明の第２乃至第４実施例ではゲート電極にアンダーカットが発生しないようにする方法を提示する。」上記記載によれば，審決の記載は，上記明細書にある【図１２】の説明に依ったにすぎず，そもそも【図１２】に示された態様のものも本願発明の特許請求の範囲の記載に包摂されることについては既に検討したとおりであるから，原告の上記主張は採用することができない。結語以上のとおりであるから，原告主張の取消事由はすべて理由がない。よって，原告の請求を棄却することとして，主文のとおり判決する。

知的財産高等裁判所 第２部

裁判長裁判官 中 野 哲 弘

裁判官 今 井 弘 晃

裁判官 田 中 孝 一