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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第34904位 0件 (2018年:第33468位 0件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2019-192871 | pチャンネル電界効果トランジスタ及び増幅回路用半導体素子 | 2019年10月31日 | |
特開 2019-179815 | ショットキーバリアダイオード | 2019年10月17日 | |
特開 2019-153645 | トレンチMOS型ショットキーダイオード及びその製造方法 | 2019年 9月12日 | |
特開 2019-79984 | ショットキーバリアダイオード | 2019年 5月23日 | |
特開 2019-67915 | 電界効果トランジスタ | 2019年 4月25日 | |
特開 2019-36593 | ダイオード | 2019年 3月 7日 | |
特開 2019-16680 | ショットキーバリアダイオード | 2019年 1月31日 | |
特開 2019-11213 | 単結晶育成装置、抵抗発熱体、及び単結晶育成方法 | 2019年 1月24日 |
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2019-192871 2019-179815 2019-153645 2019-79984 2019-67915 2019-36593 2019-16680 2019-11213
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