ホーム > 特許ランキング > 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー > 2019年 > 出願公開一覧
株式会社ノベルクリスタルテクノロジー
※ ログインすれば出願人(株式会社ノベルクリスタルテクノロジー)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2019年 出願公開件数ランキング 第34904位 0件
（
2018年：第33468位 0件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第23568位 0件
（2018年：第23370位 0件）
（ランキング更新日：2025年6月6日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
株式会社ノベルクリスタルテクノロジーの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2019-192871 | ｐチャンネル電界効果トランジスタ及び増幅回路用半導体素子 | 2019年10月31日 | |
| 特開 2019-179815 | ショットキーバリアダイオード | 2019年10月17日 | |
| 特開 2019-153645 | トレンチＭＯＳ型ショットキーダイオード及びその製造方法 | 2019年 9月12日 | |
| 特開 2019-79984 | ショットキーバリアダイオード | 2019年 5月23日 | |
| 特開 2019-67915 | 電界効果トランジスタ | 2019年 4月25日 | |
| 特開 2019-36593 | ダイオード | 2019年 3月 7日 | |
| 特開 2019-16680 | ショットキーバリアダイオード | 2019年 1月31日 | |
| 特開 2019-11213 | 単結晶育成装置、抵抗発熱体、及び単結晶育成方法 | 2019年 1月24日 |
8 件中 1-8 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
2019-192871 2019-179815 2019-153645 2019-79984 2019-67915 2019-36593 2019-16680 2019-11213
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。株式会社ノベルクリスタルテクノロジーの知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
6月10日(火) -
6月10日(火) -
6月11日(水) -
6月11日(水) -
6月12日(木) -
6月12日(木) -
6月13日(金) -
6月13日(金) -
6月13日(金) -
6月10日(火) -
6月16日(月) - 東京 大田
6月17日(火) -
6月17日(火) -
6月17日(火) -
6月17日(火) -
6月18日(水) -
6月18日(水) -
6月18日(水) -
6月18日(水) -
6月19日(木) -
6月20日(金) - 東京 千代田区
6月20日(金) -
6月16日(月) - 東京 大田
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
Floor 16, Tower A, InDo Building, A48 Zhichun Road, Haidian District, Beijing 100098, P.R. China 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
大阪市天王寺区上本町六丁目9番10号 青山ビル本館3階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
福岡市博多区博多駅前3丁目25番21号 博多駅前ビジネスセンター411号 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
