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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第2034位 10件
(2023年:第3248位 6件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第3143位 5件
(2023年:第4609位 3件)
(ランキング更新日:2025年10月15日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2024-159431 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | 2024年11月 8日 | |
特開 2024-122630 | 半導体膜の製造方法、結晶積層構造体、及び半導体デバイス | 2024年 9月 9日 | |
特開 2024-83005 | ジャンクションバリアショットキーダイオード及びその製造方法 | 2024年 6月20日 | |
特開 2024-66706 | 結晶膜の製造方法及び結晶膜の製造装置 | 2024年 5月16日 | |
特開 2024-53416 | エピタキシャルウエハ及びその製造方法 | 2024年 4月15日 | |
特開 2024-50122 | 単結晶の育成方法、半導体基板の製造方法、及び半導体基板 | 2024年 4月10日 | |
特開 2024-47430 | ショットキーバリアダイオード | 2024年 4月 5日 | |
特開 2024-38838 | 電界効果トランジスタ | 2024年 3月21日 | |
特開 2024-25233 | β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法 | 2024年 2月26日 | |
特開 2024-16694 | フィン型電界効果トランジスタ | 2024年 2月 7日 | |
特開 2024-14143 | 光導電スイッチ | 2024年 2月 1日 | |
特開 2024-4192 | 半導体基板 | 2024年 1月16日 |
12 件中 1-12 件を表示
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2024-159431 2024-122630 2024-83005 2024-66706 2024-53416 2024-50122 2024-47430 2024-38838 2024-25233 2024-16694 2024-14143 2024-4192
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10月16日(木) -
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10月16日(木) -
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10月17日(金) - 神奈川 川崎市
10月17日(金) -
10月15日(水) - 東京 港区
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10月21日(火) - 東京 港区
10月21日(火) - 東京 港区
10月21日(火) -
10月21日(火) - 大阪 大阪市
10月21日(火) -
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10月23日(木) -
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10月24日(金) -
10月24日(金) -
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