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アイキューイー ピーエルシー
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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第2815位 7件
（
2018年：第12401位 1件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第23568位 0件
（
2018年：第23370位 0件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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アイキューイー ピーエルシーの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2019-535134 | 統合されたエピタキシャル金属電極 | 2019年12月 5日 | |
| 特表 2019-532500 | ＩＩＩ族窒化物構造の成長のための核生成層 | 2019年11月 7日 | |
| 特表 2019-522358 | ＧａＮ基板用途のためのプニクタイド緩衝材構造およびデバイス | 2019年 8月 8日 | |
| 特表 2019-522359 | 歪み管理のための希土類プニクタイド | 2019年 8月 8日 | |
| 特表 2019-519932 | ＲＦフィルタ用途のためのエピタキシャルＡｌＮ／希土類酸化物構造 | 2019年 7月11日 | |
| 特表 2019-505459 | 増加した圧縮応力によってシリコン基板上で成長させたＩＩＩ族窒化物構造物 | 2019年 2月28日 | |
| 特表 2019-501570 | 希土類酸化物およびエピタキシャル窒化アルミニウムを用いて加工されるＲＦフィルタのための層構造 | 2019年 1月17日 |
7 件中 1-7 件を表示
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2019-535134 2019-532500 2019-522358 2019-522359 2019-519932 2019-505459 2019-501570
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