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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第3677位 5件
(2020年:第5465位 3件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第9350位 1件
(2020年:第4019位 3件)
(ランキング更新日:2025年5月2日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2021-530117 | V族ドーピングを有する光起電デバイスの緩衝層 | 2021年11月 4日 | |
特表 2021-512499 | 光起電力素子における吸収体層の第V族ドーピングの方法 | 2021年 5月13日 | |
特表 2021-510011 | アニーリング材料およびアニーリング材料を用いて光起電力素子をアニールするための方法 | 2021年 4月 8日 | |
特表 2021-509222 | 光起電力素子および第V族ドーパントを備える半導体層、ならびにそれを形成する方法 | 2021年 3月18日 | |
特開 2021-7171 | 第V族ドープのための薄膜積層体、それを含む光起電力素子、および薄膜積層体を有する光起電力素子を形成する方法 | 2021年 1月21日 |
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2021-530117 2021-512499 2021-510011 2021-509222 2021-7171
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5月14日(水) - 東京 港区
5月14日(水) -
5月15日(木) - 東京 港区
5月16日(金) - 東京 千代田区
5月16日(金) -
5月16日(金) - 東京 千代田区
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