ハイニックス株式会社の特許登録一覧 2012年

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出願人名に「ハイニックス株式会社」を含むもの

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公報番号	発明の名称	出願人	公報発行日
特許 5105741	半導体素子の製造方法	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月26日
特許 5105785	半導体素子の製造方法	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月26日
特許 5105835	突起型トランジスタ製造方法	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月26日
特許 5105862	半導体素子の微細パターンの形成方法	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月26日
特許 5105791	デュアルページプログラム機能を有するフラッシュメモリ装置のページバッファ回路およびそのプログラム動作方法	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月26日
特許 5105821	プログラム動作のフェールを減少させるフラッシュメモリ装置のページバッファ回路およびそのプログラム動作方法	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月26日
特許 5105978	半導体メモリ装置	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月26日
特許 5108206	低電圧用半導体メモリ装置	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月26日
特許 5106002	半導体メモリ装置	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月26日
特許 5100198	半導体素子の微細パターンの形成方法	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月19日
特許 5100981	ランディングプラグコンタクトホールのマスク及びこれを用いたプラグ形成方法	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月19日
特許 5100218	ディープパワーダウンモード制御回路	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月19日
特許 5102268	半導体メモリ素子のパワーアップ回路	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月19日
特許 5102812	不揮発性ダイナミックランダムアクセスメモリの駆動方法	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月19日
特許 5093945	フラッシュメモリセルの製造方法	エスケーハイニックス株式会社	2012年12月12日

196 件中 1-15 件を表示

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5105741 5105785 5105835 5105862 5105791 5105821 5105978 5108206 5106002 5100198 5100981 5100218 5102268 5102812 5093945

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