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公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
---|---|---|---|
特許 5306616 | カラムデコーダ及びこれを用いた半導体メモリ装置 | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年10月 2日 |
特許 5187546 | 不揮発性メモリ素子の製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年 4月24日 |
特許 5187548 | フラッシュメモリ素子の製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年 4月24日 |
特許 5178025 | 半導体メモリ素子の製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年 4月10日 |
特許 5179796 | 半導体パッケージの製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年 4月10日 |
特許 5180986 | 不揮発性メモリ装置 | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年 4月10日 |
特許 5180549 | フォトマスクのブリッジリペア方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年 4月10日 |
特許 5175597 | 半導体集積回路 | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年 4月 3日 |
特許 5175697 | DLL回路およびその制御方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年 4月 3日 |
特許 5174321 | 半導体素子の製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年 4月 3日 |
特許 5174328 | 半導体素子の製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年 4月 3日 |
特許 5174335 | 半導体素子の製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年 4月 3日 |
特許 5174379 | 半導体パッケージ | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年 4月 3日 |
特許 5175040 | 半導体素子のキャパシタの製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年 4月 3日 |
特許 5176177 | 半導体素子のコンタクトプラグ形成方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2013年 4月 3日 |
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8月29日(金) - 大阪 大阪市
8月29日(金) -
8月29日(金) -
8月29日(金) - 東京 港区
8月29日(金) -
9月1日(月) - 千葉 千葉市美浜区中瀬1丁目3番地
9月1日(月) - 東京 港区
特許庁:AI/DX時代に即した産業財産権制度について ~有識者委員会での議論を踏まえた、特許・意匠制度の見直しの方向性~
9月1日(月) -
9月2日(火) -
9月2日(火) -
9月2日(火) - 東京 港区
9月3日(水) -
9月3日(水) -
9月4日(木) - 大阪 大阪市
9月4日(木) -
9月4日(木) - 大阪 大阪市
9月5日(金) -
9月5日(金) -
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9月1日(月) - 千葉 千葉市美浜区中瀬1丁目3番地
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