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出願人名に「ハイニックス株式会社」を含むもの

公報番号発明の名称出願人公報発行日
特許 5306616 カラムデコーダ及びこれを用いた半導体メモリ装置 エスケーハイニックス株式会社 2013年10月 2日
特許 5187546 不揮発性メモリ素子の製造方法 エスケーハイニックス株式会社 2013年 4月24日
特許 5187548 フラッシュメモリ素子の製造方法 エスケーハイニックス株式会社 2013年 4月24日
特許 5178025 半導体メモリ素子の製造方法 エスケーハイニックス株式会社 2013年 4月10日
特許 5179796 半導体パッケージの製造方法 エスケーハイニックス株式会社 2013年 4月10日
特許 5180986 不揮発性メモリ装置 エスケーハイニックス株式会社 2013年 4月10日
特許 5180549 フォトマスクのブリッジリペア方法 エスケーハイニックス株式会社 2013年 4月10日
特許 5175597 半導体集積回路 エスケーハイニックス株式会社 2013年 4月 3日
特許 5175697 DLL回路およびその制御方法 エスケーハイニックス株式会社 2013年 4月 3日
特許 5174321 半導体素子の製造方法 エスケーハイニックス株式会社 2013年 4月 3日
特許 5174328 半導体素子の製造方法 エスケーハイニックス株式会社 2013年 4月 3日
特許 5174335 半導体素子の製造方法 エスケーハイニックス株式会社 2013年 4月 3日
特許 5174379 半導体パッケージ エスケーハイニックス株式会社 2013年 4月 3日
特許 5175040 半導体素子のキャパシタの製造方法 エスケーハイニックス株式会社 2013年 4月 3日
特許 5176177 半導体素子のコンタクトプラグ形成方法 エスケーハイニックス株式会社 2013年 4月 3日

74 件中 1-15 件を表示

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5306616 5187546 5187548 5178025 5179796 5180986 5180549 5175597 5175697 5174321 5174328 5174335 5174379 5175040 5176177

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