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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第129位 409件
(2016年:第220位 191件)
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第193位 165件
(2016年:第197位 175件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2017-119774 | 熱硬化性樹脂組成物及びその硬化物 | 2017年 7月 6日 | |
特開 2017-120680 | 磁気記録媒体用基板 | 2017年 7月 6日 | |
特開 2017-120754 | マイクロポーラス層およびそれを用いた燃料電池 | 2017年 7月 6日 | |
再表 2016-39262 | フラーレン誘導体の製造方法 | 2017年 6月29日 | |
特開 2017-114700 | 酸化チタン及びその製造方法 | 2017年 6月29日 | |
特開 2017-114728 | SiC単結晶の製造方法及びSiC単結晶 | 2017年 6月29日 | |
特開 2017-114932 | ポリチオール化合物、硬化性組成物、及び硬化物 | 2017年 6月29日 | |
特開 2017-115095 | イソプレンゴム組成物およびその製造方法 | 2017年 6月29日 | |
特開 2017-115096 | 塩素化ポリエチレン組成物およびその製造方法 | 2017年 6月29日 | |
特開 2017-115097 | エチレンプロピレン共重合体組成物及びその製造方法 | 2017年 6月29日 | |
特開 2017-115169 | 鍛造ピストンの製造方法 | 2017年 6月29日 | |
特開 2017-116421 | 親水性化合物の分離分析方法 | 2017年 6月29日 | |
特開 2017-117850 | ウェハ支持機構、化学気相成長装置およびエピタキシャルウェハの製造方法 | 2017年 6月29日 | |
特開 2017-117868 | 絶縁基板の製造方法及び絶縁基板 | 2017年 6月29日 | |
特開 2017-117907 | SiCエピタキシャルウェハの製造方法 | 2017年 6月29日 |
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2017-119774 2017-120680 2017-120754 2016-39262 2017-114700 2017-114728 2017-114932 2017-115095 2017-115096 2017-115097 2017-115169 2017-116421 2017-117850 2017-117868 2017-117907
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6月13日(金) -
6月13日(金) -
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6月20日(金) -
6月20日(金) - 愛知 名古屋市
6月16日(月) - 東京 大田
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