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力旺電子股▲ふん▼有限公司
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■ 2013年 出願公開件数ランキング 第2668位 8件
（
2012年：第3467位 5件）
■ 2013年 特許取得件数ランキング 第6233位 2件
（2012年：第25637位 0件）
（ランキング更新日：2024年11月22日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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力旺電子股▲ふん▼有限公司の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2013-246853 | 漏洩電流を低減させるための不揮発性メモリ装置のプログラム禁止方法 | 2013年12月 9日 | |
| 特開 2013-206513 | ワード線ブースト回路 | 2013年10月 7日 | |
| 特開 2013-187467 | ＮＯＲ型フラッシュメモリセル及びその構造 | 2013年 9月19日 | |
| 特開 2013-102119 | 不揮発性メモリーセル | 2013年 5月23日 | |
| 特開 2013-80549 | メモリのプログラミング方法及びメモリアレイ | 2013年 5月 2日 | |
| 特開 2013-33578 | フラッシュメモリ装置 | 2013年 2月14日 | |
| 特開 2013-16808 | カップリングチャネルを使用したアンチヒューズメモリ及びその操作方法 | 2013年 1月24日 | |
| 特開 2013-12714 | デュアル機能を有する不揮発性半導体メモリセル | 2013年 1月17日 |
8 件中 1-8 件を表示
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2013-246853 2013-206513 2013-187467 2013-102119 2013-80549 2013-33578 2013-16808 2013-12714
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