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力旺電子股▲ふん▼有限公司
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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第1821位 12件
（
2017年：第3759位 5件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第2781位 5件
（
2017年：第1777位 10件）
（ランキング更新日：2025年2月20日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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力旺電子股▲ふん▼有限公司の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2018-201002 | メモリアレイをプログラミング及び読み出すための不揮発性メモリ及び方法並びに不揮発性メモリを有するメモリアレイ | 2018年12月20日 | |
| 特開 2018-198105 | 低読み出し電力を備えたメモリシステム | 2018年12月13日 | |
| 特開 2018-190407 | アンチヒューズ差動セルを有するランダムコード生成器および関連する検出方法 | 2018年11月29日 | |
| 特開 2018-186256 | プログラム性能を改善可能な不揮発性メモリセル | 2018年11月22日 | |
| 特開 2018-181397 | 乱数発生装置及びその制御方法 | 2018年11月15日 | |
| 特開 2018-182349 | 単一ポリ不揮発性メモリデバイス | 2018年11月15日 | |
| 特開 2018-125825 | 自己保護及び反複製能力を備えた電子装置及び関連する方法 | 2018年 8月 9日 | |
| 特開 2018-101767 | 消去デバイスを有する単一ポリ不揮発性メモリセルの構造 | 2018年 6月28日 | |
| 特開 2018-82429 | アンチヒューズ物理的複製不可能関数ユニットおよび関連する制御方法 | 2018年 5月24日 | |
| 特開 2018-64080 | 単一ポリ不揮発性メモリデバイス | 2018年 4月19日 | |
| 特開 2018-32460 | 小さいチップ領域を有するワンタイムプログラマブルメモリアレイ | 2018年 3月 1日 | |
| 特開 2018-26190 | 電圧ブースト可能な小規模アンチヒューズ回路を備えるメモリシステム | 2018年 2月15日 |
12 件中 1-12 件を表示
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2018-201002 2018-198105 2018-190407 2018-186256 2018-181397 2018-182349 2018-125825 2018-101767 2018-82429 2018-64080 2018-32460 2018-26190
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パテントマップを用いた知財戦略の策定方法 －自社が勝つパテントマップ作成と それを活用した開発戦略・知財戦略の実践方法－ ＜東京会場受講（対面）／Zoomオンライン受講 選択可＞ ＜見逃し視聴選択可＞
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