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力旺電子股▲ふん▼有限公司

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  2018年 出願公開件数ランキング    第1821位 12件 上昇2017年:第3759位 5件)

  2018年 特許取得件数ランキング    第2781位 5件 下降2017年:第1777位 10件)

(ランキング更新日:2025年5月2日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2018-201002 メモリアレイをプログラミング及び読み出すための不揮発性メモリ及び方法並びに不揮発性メモリを有するメモリアレイ 2018年12月20日
特開 2018-198105 低読み出し電力を備えたメモリシステム 2018年12月13日
特開 2018-190407 アンチヒューズ差動セルを有するランダムコード生成器および関連する検出方法 2018年11月29日
特開 2018-186256 プログラム性能を改善可能な不揮発性メモリセル 2018年11月22日
特開 2018-181397 乱数発生装置及びその制御方法 2018年11月15日
特開 2018-182349 単一ポリ不揮発性メモリデバイス 2018年11月15日
特開 2018-125825 自己保護及び反複製能力を備えた電子装置及び関連する方法 2018年 8月 9日
特開 2018-101767 消去デバイスを有する単一ポリ不揮発性メモリセルの構造 2018年 6月28日
特開 2018-82429 アンチヒューズ物理的複製不可能関数ユニットおよび関連する制御方法 2018年 5月24日
特開 2018-64080 単一ポリ不揮発性メモリデバイス 2018年 4月19日
特開 2018-32460 小さいチップ領域を有するワンタイムプログラマブルメモリアレイ 2018年 3月 1日
特開 2018-26190 電圧ブースト可能な小規模アンチヒューズ回路を備えるメモリシステム 2018年 2月15日

12 件中 1-12 件を表示

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2018-201002 2018-198105 2018-190407 2018-186256 2018-181397 2018-182349 2018-125825 2018-101767 2018-82429 2018-64080 2018-32460 2018-26190

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