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ソウルブレイン　シーオー．，　エルティーディー

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ソウルブレイン　シーオー．，　エルティーディーの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特表 2026-536191	エッチング組成物及びこれを用いた半導体素子の製造方法	2026年10月29日
特開 2026-174281	薄膜製造方法及び薄膜製造装置	2026年10月29日
特開 2026-172814	共沸混合物、薄膜蒸着方法、これにより製造された半導体基板及び半導体素子	2026年10月27日
特表 2026-535428	超薄膜、超薄膜形成方法、これにより製造された半導体基板及び半導体素子	2026年10月23日
特表 2026-534049	反応種表面吸着補助剤、薄膜、半導体基板及び半導体素子	2026年10月14日
特表 2026-515456	低温蒸着膜形成方法、これにより製造された半導体基板および半導体素子	2026年 5月18日
特表 2026-513311	低温蒸着物質、低温蒸着膜の形成方法、これにより製造された半導体基板及び半導体素子	2026年 4月23日
特開 2026-53364	酸化セリウム粒子、これを含む化学的機械的研磨用スラリー組成物および半導体素子の製造方法	2026年 3月25日
特表 2026-509658	準金属窒化膜用の蒸着物質、準金属窒化膜の形成方法、これにより製造された半導体基板および半導体素子	2026年 3月23日
特表 2026-508729	化学的機械的研磨スラリー組成物及び半導体素子の製造方法	2026年 3月12日
特表 2026-508728	化学的機械的研磨スラリー組成物及び半導体素子の製造方法	2026年 3月12日
特表 2026-508727	化学的機械的研磨スラリー組成物及び半導体素子の製造方法	2026年 3月12日
特表 2026-508726	化学的機械的研磨スラリー組成物及び半導体素子の製造方法	2026年 3月12日
特表 2026-508060	化学的機械的研磨スラリー組成物及び半導体素子の製造方法	2026年 3月10日
特表 2026-508059	化学的機械的研磨スラリー組成物及び半導体素子の製造方法	2026年 3月10日

20 件中 1-15 件を表示

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2026-536191 2026-174281 2026-172814 2026-535428 2026-534049 2026-515456 2026-513311 2026-53364 2026-509658 2026-508729 2026-508728 2026-508727 2026-508726 2026-508060 2026-508059

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