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■ 2025年 出願公開件数ランキング 第806位 9件
(2024年:第2216位 9件)
■ 2025年 特許取得件数ランキング 第975位 6件
(2024年:第10406位 1件)
(ランキング更新日:2025年4月15日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2025-510866 | 薄膜改質組成物、これを用いた薄膜形成方法、これにより製造された半導体基板及び半導体素子 | 2025年 4月15日 | |
特表 2025-511308 | 薄膜形成方法、これにより製造された半導体基板及び半導体素子 | 2025年 4月15日 | |
特表 2025-511355 | 薄膜遮蔽剤、これを用いた薄膜形成方法、これにより製造された半導体基板及び半導体素子 | 2025年 4月15日 | |
特表 2025-510250 | ステップカバレッジ改善剤、これを用いた薄膜形成方法、これにより製造された半導体基板及び半導体素子 | 2025年 4月14日 | |
特開 2025-61984 | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 | 2025年 4月11日 | |
特開 2025-60845 | 酸化セリウム粒子、これを含む化学的機械的研磨用スラリー組成物および半導体素子の製造方法 | 2025年 4月10日 | |
特開 2025-41900 | 薄膜形成用成長抑制剤、及びこれを利用した薄膜形成方法 | 2025年 3月26日 | |
特表 2025-508148 | 遮蔽化合物、これを用いた薄膜形成方法、これから製造された半導体基板及び半導体素子 | 2025年 3月21日 | |
特表 2025-507037 | 薄膜改質組成物、これを用いた薄膜形成方法、これにより製造された半導体基板及び半導体素子 | 2025年 3月13日 |
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2025-510866 2025-511308 2025-511355 2025-510250 2025-61984 2025-60845 2025-41900 2025-508148 2025-507037
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