出願人名に「株式会社タムラ」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特開 2014-236118 | 軟磁性粉末、コア及びその製造方法 | 株式会社タムラ製作所 | 2014年12月15日 |
| 特開 2014-228418 | 電流センサ | 株式会社タムラ製作所 | 2014年12月 8日 |
| 特開 2014-229839 | 圧粉磁心とその製造方法 | 株式会社タムラ製作所 | 2014年12月 8日 |
| 特開 2014-224041 | β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板 | 株式会社タムラ製作所 他 | 2014年12月 4日 |
| 特開 2014-221692 | β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の育成方法、並びにβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板及びその製造方法 | 株式会社タムラ製作所 他 | 2014年11月27日 |
| 特開 2014-221707 | β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の育成方法、並びにβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板及びその製造方法 | 株式会社タムラ製作所 他 | 2014年11月27日 |
| 特開 2014-221719 | Ｇａ含有酸化物層成長用β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板 | 株式会社タムラ製作所 | 2014年11月27日 |
| 特開 2014-220435 | リアクタ | 株式会社タムラ製作所 | 2014年11月20日 |
| 特開 2014-210707 | β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板、及び結晶積層構造体 | 株式会社タムラ製作所 他 | 2014年11月13日 |
| 特開 2014-205618 | β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶及び基板 | 株式会社タムラ製作所 他 | 2014年10月30日 |
| 特開 2014-205899 | 電気化学反応装置 | 株式会社タムラ製作所 他 | 2014年10月30日 |
| 特開 2014-203954 | 半導体素子の製造方法 | 株式会社タムラ製作所 他 | 2014年10月27日 |
| 特開 2014-201480 | β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶の成長方法 | 株式会社タムラ製作所 他 | 2014年10月27日 |
| 特開 2014-201457 | 結晶積層構造体の製造方法 | 株式会社タムラ製作所 他 | 2014年10月27日 |
| 特開 2014-204131 | 半導体積層構造体、及び半導体素子 | 株式会社タムラ製作所 他 | 2014年10月27日 |
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2014-236118 2014-228418 2014-229839 2014-224041 2014-221692 2014-221707 2014-221719 2014-220435 2014-210707 2014-205618 2014-205899 2014-203954 2014-201480 2014-201457 2014-204131
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