出願人名に「グランディス」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 5103472 | スピン移動を利用して磁気メモリ構造を提供する方法およびシステム | グランディス インコーポレイテッド 他 | 2012年12月19日 |
| 特許 5101298 | スピン伝送を切り換えるように構成された高スピン偏極層を有するＭＴＪ素子、及び該磁気素子を用いたスピントロニクス・デバイス | グランディス インコーポレイテッド | 2012年12月19日 |
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5103472 5101298
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