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- 出願人詳細情報 -
出願人名に「グランディス」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特開 2012-119715 | 高垂直異方性及び面内平衡磁化を有する自由層を備えたスピン転移磁気素子 | グランディス インコーポレイテッド | 2012年 6月21日 |
| 特開 2012-109010 | メモリ書込みエラー訂正回路 | グランディス インコーポレイテッド | 2012年 6月 7日 |
| 特開 2012-104848 | 低飽和磁化自由層を有するスピン転移磁気素子 | グランディス インコーポレイテッド | 2012年 5月31日 |
| 特開 2012-104825 | スイッチングが改良されたハイブリッド磁気トンネル接合要素を提供するための方法およびシステム | グランディス インコーポレイテッド | 2012年 5月31日 |
| 特開 2012-84218 | 疑似ページモードのメモリアーキテクチャおよび方法 | グランディス インコーポレイテッド | 2012年 4月26日 |
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2012-119715 2012-109010 2012-104848 2012-104825 2012-84218
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