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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第2064位 10件 (2017年:第1131位 26件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第1700位 10件 (2017年:第1518位 12件)
(ランキング更新日:2024年11月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6429108 | 半導体素子実装用基板とそれを用いた半導体素子装置 | 2018年11月28日 | |
特許 6410404 | 複合部材、放熱部材、及び半導体装置 | 2018年10月24日 | |
特許 6412886 | AlN基板 | 2018年10月24日 | |
特許 6407921 | リーマ | 2018年10月17日 | |
特許 6374333 | 坩堝およびそれを用いた単結晶サファイアの製造方法 | 2018年 8月15日 | |
特許 6368448 | 炭化タングステン粉末 | 2018年 8月 1日 | |
特許 6363992 | サファイア単結晶育成用坩堝およびサファイア単結晶育成方法 | 2018年 7月25日 | |
特許 6305613 | マルチ超砥粒ホイール | 2018年 4月 4日 | |
特許 6292688 | ダイヤモンド複合材料、及び放熱部材 | 2018年 3月14日 | |
特許 6262598 | AlN焼結体、AlN基板およびAlN基板の製造方法 | 2018年 1月17日 | |
特許 6257575 | 半導体パッケージ、及び半導体装置 | 2018年 1月10日 | |
特許 6258040 | サファイア単結晶育成用坩堝、サファイア単結晶育成方法およびサファイア単結晶育成用坩堝の製造方法 | 2018年 1月10日 |
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6429108 6410404 6412886 6407921 6374333 6368448 6363992 6305613 6292688 6262598 6257575 6258040
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11月22日(金) -
11月22日(金) - 東京 千代田区
11月22日(金) - 東京 港区
11月22日(金) -
11月22日(金) - 大阪 大阪市
11月22日(金) -
11月22日(金) -
11月25日(月) -
11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月27日(水) - 東京 港区
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月28日(木) - 東京 港区
11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
11月28日(木) -
11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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