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出願人名に「サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 5643212 | ブースト電圧クランプを改善するためのペアビットラインプログラミング | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年12月17日 |
| 特許 5638537 | 不揮発性記憶装置のためのデータリフレッシュ | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年12月10日 |
| 特許 5617079 | 不揮発性メモリおよび制御データ管理を伴う方法 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年11月 5日 |
| 特許 5613663 | 不揮発性記憶装置の消去確認処理 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年10月29日 |
| 特許 5575244 | 選択的なメモリセルプログラムおよび消去 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年 8月20日 |
| 特許 5558464 | 漏れ電流を削減するフローティングゲート上の誘電体層 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年 7月23日 |
| 特許 5529975 | 少ない検証動作回数での不揮発性メモリのプログラミング | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年 6月25日 |
| 特許 5481477 | 不揮発性記憶装置のオーバープログラムの訂正 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年 4月23日 |
| 特許 5470468 | ビットラインをフローティングさせてチャネル−フローティングゲート結合を低減するメモリプログラミング | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年 4月16日 |
| 特許 5470461 | ビットラインをフロートさせる不揮発性メモリの中速及び全速プログラム | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年 4月16日 |
| 特許 5470368 | システムノイズを取り除くために調整されたソース電圧へのプルダウンを用いる不揮発性記憶装置の検出 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年 4月16日 |
| 特許 5467107 | データストレージ要求が削減された、メモリのマルチパスプログラミング | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年 4月 9日 |
| 特許 5463421 | ビットライン検知に基づく補償によりチャネル−フローティングゲート結合を低減するメモリプログラミング | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年 4月 9日 |
| 特許 5444468 | パス電圧の外乱及びフローティングゲートから制御ゲートへのリークを低減するメモリプログラム | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年 3月19日 |
| 特許 5444340 | 不揮発性メモリにおける読み出しディスターブの低減 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2014年 3月19日 |
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5643212 5638537 5617079 5613663 5575244 5558464 5529975 5481477 5470468 5470461 5470368 5467107 5463421 5444468 5444340
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