ホーム > 特許ランキング > サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド > 2013年 > 特許一覧
公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
---|---|---|---|
特許 5368555 | 不揮発性記憶装置のための選択的消去処理 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年12月18日 |
特許 5367697 | 不揮発性記憶装置における読み出し動作中の消費電力の低減 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年12月11日 |
特許 5250112 | 不揮発性記憶装置の読み出し動作中における結合の補償 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 7月31日 |
特許 5216856 | プログラムの期間中での干渉の影響の低減 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 6月19日 |
特許 5203510 | 最小限の追加時間ペナルティで障害を低減するために改良されたプログラミングアルゴリズム | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 6月 5日 |
特許 5198563 | センシング向上のための異なる参照レベルを用いた不揮発性記憶メモリ内の雑/高精度プログラム検証 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 5月15日 |
特許 5178721 | 成形されたフローティングゲートを持つ不揮発性メモリ | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 4月10日 |
特許 5178838 | コントロールゲートライン構造 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 4月10日 |
特許 5178914 | 不揮発性記憶装置のプログラムおよび選択的消去 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 4月10日 |
特許 5174829 | 隣接メモリセルの記憶状態を考慮した不揮発性メモリセルの読み出し | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 4月 3日 |
特許 5159790 | カップリング補償を含む不揮発性メモリ読み出し動作のためのマージンを付加した隣接メモリ読み出し | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 3月13日 |
特許 5129484 | デュアルメディアストレージデバイス | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 1月30日 |
特許 5113195 | 閾値電圧区分に基づく動的検証 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 1月 9日 |
特許 5114621 | 不揮発性メモリのソフトプログラミングにおける制御されたブースト | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 1月 9日 |
特許 5117048 | 着脱可能なペリフェラルカードを効率的に製造する方法 | サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド | 2013年 1月 9日 |
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5368555 5367697 5250112 5216856 5203510 5198563 5178721 5178838 5178914 5174829 5159790 5129484 5113195 5114621 5117048
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実践!英文秘密保持契約・共同研究・共同開発契約・特許ライセンス契約 第1回(国際取引における英文契約の基礎理解と英文秘密保持契約の実践)
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