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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2019-220239 | メモリデバイス | 2019年12月26日 | |
特開 2019-215946 | DRAM及びその操作方法 | 2019年12月19日 | |
特開 2019-204568 | メモリデバイス及びそのテスト読書き方法 | 2019年11月28日 | |
特開 2019-204569 | メモリデバイス及び多数検出器 | 2019年11月28日 | |
特開 2019-204570 | メモリデバイス及びメモリセルアレイのプログラミング方法 | 2019年11月28日 | |
特開 2019-192315 | メモリデバイス及びそのリフレッシュ方法 | 2019年10月31日 | |
特開 2019-139826 | ビット線電源供給装置 | 2019年 8月22日 | |
特開 2019-133727 | 擬似SRAM及びその制御方法 | 2019年 8月 8日 | |
特開 2019-125405 | メモリデバイス及びそのデータリフレッシュ方法 | 2019年 7月25日 | |
特開 2019-121408 | メモリデバイス | 2019年 7月22日 | |
特開 2019-122030 | コード署名の条件付き規定に基づくセキュアクライアント認証 | 2019年 7月22日 | |
特開 2019-102113 | メモリデバイス | 2019年 6月24日 | |
特開 2019-96370 | 揮発性メモリデバイス及びそのセルフリフレッシュ方法 | 2019年 6月20日 | |
特開 2019-91518 | 不揮発性メモリのブロックデコーダ、および、レベルシフタ | 2019年 6月13日 | |
特開 2019-91519 | 内部ECC処理を有するNAND型フラッシュメモリおよびその動作方法 | 2019年 6月13日 |
20 件中 1-15 件を表示
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2019-220239 2019-215946 2019-204568 2019-204569 2019-204570 2019-192315 2019-139826 2019-133727 2019-125405 2019-121408 2019-122030 2019-102113 2019-96370 2019-91518 2019-91519
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