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出願人名に「旺宏電子股▲ふん▼有限公司」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 4801897 | 不揮発性半導体メモリ及びこのメモリの動作方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2011年10月26日 |
| 特許 4800683 | 一列の電荷トラッピングメモリセルを作動させるための方法および装置 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2011年10月26日 |
| 特許 4794809 | 集積回路を製造するパターン化方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2011年10月19日 |
| 特許 4781730 | 電荷トラッピング不揮発性メモリにおける検出の方法および装置 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2011年 9月28日 |
| 特許 4726429 | 不揮発性フラッシュメモリ | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2011年 7月20日 |
| 特許 4724692 | 高速プログラム型のＭＬＣメモリ | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2011年 7月13日 |
| 特許 4686161 | 集積回路デバイス、集積回路デバイスの製造方法および単一の集積回路にデータとコードとを保存するための方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2011年 5月18日 |
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4801897 4800683 4794809 4781730 4726429 4724692 4686161
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