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出願人名に「旺宏電子股▲ふん▼有限公司」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 5611499 | マルチレベルメモリ素子およびこれをプログラムし読出す方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2014年10月22日 |
| 特許 5600708 | トンネル障壁の上に電界分布層を有する電荷捕獲装置 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2014年10月 1日 |
| 特許 5480172 | 集積回路及びその製造方法並びに集積回路相変化メモリセルの操作方法及び当該セルへのデータ読み込み方法 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2014年 4月23日 |
| 特許 5466421 | ポリ間電荷トラップ構造体を有する浮遊ゲートメモリ素子 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | 2014年 4月 9日 |
4 件中 1-4 件を表示
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5611499 5600708 5480172 5466421
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