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出願人名に「オヴォニクス，インコーポレイテッド」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特表 2011-523503 | 相変化メモリデバイスに電極を形成する気相法 | オヴォニクス，インコーポレイテッド | 2011年 8月11日 |
| 特表 2011-519485 | 相変化メモリデバイスに電極を形成する方法 | オヴォニクス，インコーポレイテッド | 2011年 7月 7日 |
| 特開 2011-124545 | 優れたデータ保持特性を有する可変抵抗材料 | オヴォニクス，インコーポレイテッド | 2011年 6月23日 |
| 特表 2011-513884 | マルチモードプログラム可能抵抗メモリーをアクセスするための方法と装置 | オヴォニクス，インコーポレイテッド | 2011年 4月28日 |
| 特表 2011-505708 | 閉じ込め層を有する活物質素子 | オヴォニクス，インコーポレイテッド | 2011年 2月24日 |
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2011-523503 2011-519485 2011-124545 2011-513884 2011-505708
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