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エイチジーエスティーネザーランドビーブイ

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  2016年 出願公開件数ランキング    第1586位 15件 下降2015年:第932位 30件)

  2016年 特許取得件数ランキング    第493位 56件 上昇2015年:第635位 35件)

(ランキング更新日:2026年2月10日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2016-225633 外部強磁性バイアス膜を用いる電圧制御磁気異方性スイッチング装置 2016年12月28日
特開 2016-177860 フラッシュ性能を増大させる読み出しレベルグループ化 2016年10月 6日
特開 2016-178301 垂直磁気異方性の強化のための二重MgO界面およびCoFeB層を有する垂直スピントランスファートルク(STT)メモリセル 2016年10月 6日
特開 2016-170854 インピーダンス補償機能を備える複数のプリアンプリファイアおよび共通伝送線路を用いた磁気記録ディスクドライブ 2016年 9月23日
特開 2016-157441 SSDへのコピーオンライト用システム及び方法 2016年 9月 1日
特開 2016-126819 鉄酸化されたハードディスクドライブの筐体カバー 2016年 7月11日
特開 2016-105273 装置における電源管理のためのリソース割当及び解除 2016年 6月 9日
特開 2016-87692 信頼性が向上したはんだボールジェットノズル 2016年 5月23日
特開 2016-85781 データ遷移に応じた書き込み電流オーバーシュート振幅(OSA)を用いた磁気記録ディスクドライブ 2016年 5月19日
特開 2016-81557 アクチュエータシークプロファイルに基づく自己クリーニング記録ヘッド 2016年 5月16日
特開 2016-76204 データ記憶装置の性能を意識した電力キャッピング制御 2016年 5月12日
特開 2016-71924 性能を意識した電力キャッピングを用いるデータ記憶装置 2016年 5月 9日
特開 2016-71925 MgOトンネル型バリア層およびホウ素の拡散を最少化する窒素含有層を含むトンネル型磁気抵抗(TMR)素子 2016年 5月 9日
特開 2016-62614 大容量記憶装置シャーシアセンブリの前部領域において用いるためのシャーシ入出力(I/O)モジュール 2016年 4月25日
特開 2016-45978 磁気用途用の多重入力多重出力センサーの構成 2016年 4月 4日

15 件中 1-15 件を表示

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2016-225633 2016-177860 2016-178301 2016-170854 2016-157441 2016-126819 2016-105273 2016-87692 2016-85781 2016-81557 2016-76204 2016-71924 2016-71925 2016-62614 2016-45978

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