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エイチジーエスティーネザーランドビーブイ
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第1249位 23件
（
2016年：第1586位 15件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第1034位 20件
（
2016年：第493位 56件）
（ランキング更新日：2025年1月17日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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エイチジーエスティーネザーランドビーブイの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2017-151955 | 誤り訂正前に不揮発性固体装置からデータを送信するシステムおよび方法 | 2017年 8月31日 | |
| 特開 2017-142774 | ネットワークオンチップ方法によるメモリバンクのためのファブリック相互接続 | 2017年 8月17日 | |
| 特開 2017-139446 | 改善された切り換え効率のためのスピン軌道トルクビット設計 | 2017年 8月10日 | |
| 特開 2017-134817 | 分散キャッシュメモリにおける適応分割用のシステム及び方法 | 2017年 8月 3日 | |
| 特開 2017-123151 | メモリ管理での重複排除のための参照ブロックの参照セットへの集約 | 2017年 7月13日 | |
| 特開 2017-117437 | 下位レベルキャッシュにおけるキャシュラインのエイジを制御することによりメモリへのライトバックを低減すること | 2017年 6月29日 | |
| 特開 2017-117439 | 科学計算用ストレージプロセッサアレイ | 2017年 6月29日 | |
| 特開 2017-112358 | 下部固定ＳＯＴ−ＭＲＡＭビット構造及び製造の方法 | 2017年 6月22日 | |
| 特開 2017-112359 | 積層体内セレクタを有する上部固定ＳＯＴ−ＭＲＡＭアーキテクチャ | 2017年 6月22日 | |
| 特開 2017-103453 | 集束電場を有する抵抗変化メモリセル | 2017年 6月 8日 | |
| 特開 2017-92450 | 改善された磁気メモリセルの実装 | 2017年 5月25日 | |
| 特開 2017-92451 | ＣＭＯＳ駆動回路との間における磁気メモリ統合の実装 | 2017年 5月25日 | |
| 特開 2017-84338 | フラッシュメモリのフラッシングを改善する方法およびシステム | 2017年 5月18日 | |
| 特開 2017-84341 | フラッシュメモリデバイスのための消耗管理 | 2017年 5月18日 | |
| 特開 2017-84342 | フラッシュメモリデバイスのための操作パラメータ | 2017年 5月18日 |
23 件中 1-15 件を表示
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2017-151955 2017-142774 2017-139446 2017-134817 2017-123151 2017-117437 2017-117439 2017-112358 2017-112359 2017-103453 2017-92450 2017-92451 2017-84338 2017-84341 2017-84342
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