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コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブ
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■ 2014年 出願公開件数ランキング 第7139位 2件
（
2013年：第12936位 1件）
■ 2014年 特許取得件数ランキング 第2147位 10件
（2013年：第3352位 5件）
（ランキング更新日：2025年4月4日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク・エ・オ・エネルジ・アルテルナテイブの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5636152 | 混合マイクロテクノロジー構造を製造する方法、およびそれによって得られる構造 | 2014年12月 3日 | |
| 特許 5623281 | 撮像装置用シンチレータ、シンチレータモジュール、該シンチレータ付き撮像装置およびシンチレータ製造方法 | 2014年11月12日 | |
| 特許 5594940 | 実質的に不変な回転軸を検出するための方法および装置 | 2014年 9月24日 | 共同出願 |
| 特許 5592387 | マイクロエレクトロニクス分野において単結晶膜を形成する方法 | 2014年 9月17日 | |
| 特許 5587041 | 薄層をその熱膨張率と異なる熱膨張率を有するターゲット基板上に移転する方法 | 2014年 9月10日 | |
| 特許 5588448 | 埋め込み電気絶縁連続層を備えたハイブリッド基板を製造する方法 | 2014年 9月10日 | |
| 特許 5519536 | 埋め込み型トラッピング層によるトランジスタの閾値電圧の調整方法 | 2014年 6月11日 | |
| 特許 5487199 | プロトン交換による薄層を転写させる方法 | 2014年 5月 7日 | 共同出願 |
| 特許 5412099 | データ記憶媒体および関連する方法 | 2014年 2月12日 | 共同出願 |
| 特許 5412289 | 注入によってＧａＮ薄層を調製および出発基板を再利用するための方法 | 2014年 2月12日 |
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5636152 5623281 5594940 5592387 5587041 5588448 5519536 5487199 5412099 5412289
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