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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 5836158 | 歪吸収中間層遷移モジュールを有するIII族窒化物半導体構造 | 2015年12月24日 | |
特許 5829700 | 短絡保護された複合スイッチを含むインバータ回路 | 2015年12月 9日 | |
特許 5820331 | 集積電力段 | 2015年11月24日 | |
特許 5793120 | 集積されたダイオードを有するSOI基板を備える複合半導体装置 | 2015年10月14日 | |
特許 5755460 | 単一ゲートの誘電体構造を有するエンハンスメントモードのIII族窒化物トランジスタ | 2015年 7月29日 | |
特許 5746079 | 三次元電流経路制御を採用したボンドワイヤレス電源モジュール | 2015年 7月 8日 | |
特許 5746245 | III−V族及びIV族複合スイッチ | 2015年 7月 8日 | |
特許 5731367 | 応力変調III−V族半導体装置および関連方法 | 2015年 6月10日 | |
特許 5722852 | 不純物濃度を選択的に減少させたIII−V族デバイス構造 | 2015年 5月27日 | |
特許 5722931 | 増大した降伏電圧を有するトランジスタ | 2015年 5月27日 | |
特許 5711180 | エッチングリードフレームを備えるカスコード接続された高電圧III族窒化物整流器パッケージ及びその製造方法 | 2015年 4月30日 | |
特許 5684747 | 温度センサーを具えたデュアルコンパートメント半導体パッケージ | 2015年 3月18日 | |
特許 5668085 | セグメント化ゲートを有するパワートランジスタ | 2015年 2月12日 | |
特許 5650686 | パッケージ支持面にクリップを利用する高電圧III族窒化物整流器パッケージ | 2015年 1月 7日 |
14 件中 1-14 件を表示
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5836158 5829700 5820331 5793120 5755460 5746079 5746245 5731367 5722852 5722931 5711180 5684747 5668085 5650686
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