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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第33513位 0件
(2015年:第5202位 3件)
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第1540位 13件
(2015年:第1350位 14件)
(ランキング更新日:2025年8月25日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6054014 | 疑似ダイオードを有するIII族窒化物スイッチングデバイス | 2016年12月27日 | |
特許 6012671 | 高電圧IV族イナーブルスイッチを備えるモノリシック複合III族窒化物トランジスタ | 2016年10月25日 | |
特許 6008621 | ネスト化複合ダイオード | 2016年10月19日 | |
特許 5979819 | アルミニウムドープゲートを備えるプログラマブルIII−窒化物トランジスタ | 2016年 8月31日 | |
特許 5973135 | 浅く幅狭なトレンチ型のFETの製造方法及び関連構造体 | 2016年 8月23日 | |
特許 5972917 | 空間的に閉じ込められた誘電体領域を含む半導体構造 | 2016年 8月17日 | |
特許 5953329 | 制御及びドライバ回路を有するパワー・カッド・フラット・ノーリード(PQFN)パッケージ | 2016年 7月20日 | |
特許 5887370 | パワー・カッド・フラット・ノーリード(PQFN)リードフレーム上に置かれた制御及びドライバ回路 | 2016年 3月16日 | |
特許 5882955 | ロバストヒューズ付トランジスタ | 2016年 3月 9日 | |
特許 5876212 | 希土類エンハンスト高電子移動度トランジスタ及びその製造方法 | 2016年 3月 2日 | |
特許 5856197 | 低圧側及び高圧側複合スイッチを備えた集積ハーフブリッジ回路 | 2016年 2月 9日 | |
特許 5848171 | アクティブ発振防止付き複合半導体デバイス | 2016年 1月27日 | |
特許 5841500 | スタック型ハーフブリッジ電力モジュール | 2016年 1月13日 |
13 件中 1-13 件を表示
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6054014 6012671 6008621 5979819 5973135 5972917 5953329 5887370 5882955 5876212 5856197 5848171 5841500
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特許庁:AI/DX時代に即した産業財産権制度について ~有識者委員会での議論を踏まえた、特許・意匠制度の見直しの方向性~
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