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公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
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特許 5630665 | 結晶シリコンインゴット及びその製造方法 | 中美▲せき▼晶製品股▲ふん▼有限公司 | 2014年11月26日 |
特許 5626800 | LED基板及びLED | 中美▲せき▼晶製品股▲ふん▼有限公司 | 2014年11月19日 |
特許 5572661 | 結晶成長装置 | 中美▲せき▼晶製品股▲ふん▼有限公司 | 2014年 8月13日 |
特許 5462893 | シリコンインゴットの表面ナノ構造プロセス、ウェハーの製造方法及びそのウェハー | 中美▲せき▼晶製品股▲ふん▼有限公司 | 2014年 4月 2日 |
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5630665 5626800 5572661 5462893
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3月13日(木) - 東京 港区
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3月14日(金) -
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3月18日(火) -
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3月19日(水) -
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3月21日(金) -
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