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公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
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特許 5064228 | 光触媒プロセス | アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド | 2012年10月31日 |
特許 5048053 | コンポジット | アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド | 2012年10月17日 |
特許 4975923 | 炭素膜を成長させる際に使用される表面処理法 | アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド | 2012年 7月11日 |
特許 4937910 | 電界放出用途のためのカーボンナノチューブの活性化 | アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド | 2012年 5月23日 |
特許 4870029 | 電界放出デバイス用炭素膜 | アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド | 2012年 2月 8日 |
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5064228 5048053 4975923 4937910 4870029
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特許庁:AI/DX時代に即した産業財産権制度について ~有識者委員会での議論を踏まえた、特許・意匠制度の見直しの方向性~
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