出願人名に「株式会社サムス」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特開 2014-203926 | 電気二重層キャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ） | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年10月27日 |
| 特開 2014-203927 | 電気二重層キャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）、及び多孔質電極 | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年10月27日 |
| 特開 2014-204280 | カメラ装置及びそれを備えた無線通信端末 | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年10月27日 |
| 特開 2014-178742 | 画像処理装置、画像処理方法及び画像処理プログラム | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年 9月25日 |
| 特開 2014-178744 | 発光物体検出装置、発光物体検出方法及び発光物体検出プログラム | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年 9月25日 |
| 特開 2014-172009 | 改質逆浸透膜、改質逆浸透膜の製造方法、及び水処理方法 | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年 9月22日 |
| 特開 2014-154801 | 熱電素子、熱電デバイス及び熱電素子の製造方法 | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年 8月25日 |
| 特開 2014-146394 | 半導体装置、チップのリペア方法、および半導体装置の製造方法 | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年 8月14日 |
| 特開 2014-142976 | 半導体記憶装置 | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年 8月 7日 |
| 特開 2014-137832 | 半導体装置及び半導体装置の制御方法 | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年 7月28日 |
| 特開 2014-137833 | 半導体メモリ及び誤り訂正ビット数の出力方法 | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年 7月28日 |
| 特開 2014-137834 | 半導体記憶装置 | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年 7月28日 |
| 特開 2014-135272 | 全固体電池 | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年 7月24日 |
| 特開 2014-131592 | 洗濯機 | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年 7月17日 |
| 特開 2014-131981 | アミン誘導体、有機発光材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | 株式会社サムスン日本研究所 | 2014年 7月17日 |
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2014-203926 2014-203927 2014-204280 2014-178742 2014-178744 2014-172009 2014-154801 2014-146394 2014-142976 2014-137832 2014-137833 2014-137834 2014-135272 2014-131592 2014-131981
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