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出願人名に「公益財団法人国際科学振興財団」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 5107500 | 蒸着装置 | 公益財団法人国際科学振興財団 | 2012年12月26日 |
| 特許 5068402 | 誘電体膜およびその形成方法、半導体装置、不揮発性半導体メモリ装置、および半導体装置の製造方法 | 公益財団法人国際科学振興財団 | 2012年11月 7日 |
| 特許 5020459 | 樹脂成形機および樹脂成形方法 | 公益財団法人国際科学振興財団 | 2012年 9月 5日 |
| 特許 5010620 | プロセス装置 | 公益財団法人国際科学振興財団 | 2012年 8月29日 |
| 特許 4991577 | シリコン酸化膜の形成方法、半導体装置及びその製造方法 | 公益財団法人国際科学振興財団 | 2012年 8月 1日 |
| 特許 4987206 | フラッシュメモリ素子の製造方法 | 公益財団法人国際科学振興財団 | 2012年 7月25日 |
| 特許 4966466 | 酸化膜の形成方法、酸化膜のスパッタリング方法、酸窒化膜のスパッタリング方法、ゲート絶縁膜の形成方法 | 公益財団法人国際科学振興財団 | 2012年 7月 4日 |
| 特許 4954437 | 半導体装置の製造方法 | 公益財団法人国際科学振興財団 | 2012年 6月13日 |
| 特許 4926379 | 表面にフッ化層を有する透明部材の製造方法およびプラスチック部材 | 公益財団法人国際科学振興財団 | 2012年 5月 9日 |
| 特許 4856297 | 半導体装置の製造方法 | 公益財団法人国際科学振興財団 | 2012年 1月18日 |
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5107500 5068402 5020459 5010620 4991577 4987206 4966466 4954437 4926379 4856297
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