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- 出願人詳細情報 -
出願人名に「ニックス株式会社」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特開 2012-256951 | 半導体パッケージ、これを有する積層ウエハーレベルパッケージおよび積層ウエハーレベルパッケージの製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月27日 |
| 特開 2012-253392 | モールド再構成ウェハーを利用したスタックパッケージ及びその製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月20日 |
| 特開 2012-248823 | 不揮発性メモリ装置及びその製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月13日 |
| 特開 2012-238369 | 非揮発性メモリ装置及びセンシング方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月 6日 |
| 特開 2012-235465 | デジタルカメラ装置における画像処理装置及び方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年11月29日 |
| 特開 2012-235123 | 半導体素子及びその製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年11月29日 |
| 特開 2012-235174 | 回路配線を有する回路基板の製造方法、ならびに回路配線を有する半導体パッケージ | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年11月29日 |
| 特開 2012-234610 | 半導体メモリ装置及びそのリペア方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年11月29日 |
| 特開 2012-234611 | ヒューズ回路を含む半導体集積回路および半導体メモリ装置 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年11月29日 |
| 特開 2012-235114 | 半導体集積回路のテスト回路及び方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年11月29日 |
| 特開 2012-231143 | ３次元不揮発性メモリ素子及びその製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年11月22日 |
| 特開 2012-231169 | 半導体パッケージの製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年11月22日 |
| 特開 2012-230753 | 半導体装置及びその動作方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年11月22日 |
| 特開 2012-230757 | 低電圧用半導体メモリ装置の駆動方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年11月22日 |
| 特開 2012-226819 | 不揮発性メモリ装置及びそのプログラム方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年11月15日 |
43 件中 1-15 件を表示
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2012-256951 2012-253392 2012-248823 2012-238369 2012-235465 2012-235123 2012-235174 2012-234610 2012-234611 2012-235114 2012-231143 2012-231169 2012-230753 2012-230757 2012-226819
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