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出願人名に「ニックス株式会社」を含むもの

公報番号発明の名称出願人公報発行日
特許 5105741 半導体素子の製造方法 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月26日
特許 5105785 半導体素子の製造方法 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月26日
特許 5105835 突起型トランジスタ製造方法 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月26日
特許 5105862 半導体素子の微細パターンの形成方法 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月26日
特許 5105791 デュアルページプログラム機能を有するフラッシュメモリ装置のページバッファ回路およびそのプログラム動作方法 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月26日
特許 5105821 プログラム動作のフェールを減少させるフラッシュメモリ装置のページバッファ回路およびそのプログラム動作方法 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月26日
特許 5105978 半導体メモリ装置 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月26日
特許 5108206 低電圧用半導体メモリ装置 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月26日
特許 5106002 半導体メモリ装置 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月26日
特許 5100198 半導体素子の微細パターンの形成方法 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月19日
特許 5100981 ランディングプラグコンタクトホールのマスク及びこれを用いたプラグ形成方法 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月19日
特許 5100218 ディープパワーダウンモード制御回路 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月19日
特許 5102268 半導体メモリ素子のパワーアップ回路 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月19日
特許 5102812 不揮発性ダイナミックランダムアクセスメモリの駆動方法 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月19日
特許 5093945 フラッシュメモリセルの製造方法 エスケーハイニックス株式会社 2012年12月12日

197 件中 1-15 件を表示

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5105741 5105785 5105835 5105862 5105791 5105821 5105978 5108206 5106002 5100198 5100981 5100218 5102268 5102812 5093945

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