特許ランキング
- 出願人詳細情報 -
出願人名に「ニックス株式会社」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 5105741 | 半導体素子の製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月26日 |
| 特許 5105785 | 半導体素子の製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月26日 |
| 特許 5105835 | 突起型トランジスタ製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月26日 |
| 特許 5105862 | 半導体素子の微細パターンの形成方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月26日 |
| 特許 5105791 | デュアルページプログラム機能を有するフラッシュメモリ装置のページバッファ回路およびそのプログラム動作方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月26日 |
| 特許 5105821 | プログラム動作のフェールを減少させるフラッシュメモリ装置のページバッファ回路およびそのプログラム動作方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月26日 |
| 特許 5105978 | 半導体メモリ装置 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月26日 |
| 特許 5108206 | 低電圧用半導体メモリ装置 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月26日 |
| 特許 5106002 | 半導体メモリ装置 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月26日 |
| 特許 5100198 | 半導体素子の微細パターンの形成方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月19日 |
| 特許 5100981 | ランディングプラグコンタクトホールのマスク及びこれを用いたプラグ形成方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月19日 |
| 特許 5100218 | ディープパワーダウンモード制御回路 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月19日 |
| 特許 5102268 | 半導体メモリ素子のパワーアップ回路 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月19日 |
| 特許 5102812 | 不揮発性ダイナミックランダムアクセスメモリの駆動方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月19日 |
| 特許 5093945 | フラッシュメモリセルの製造方法 | エスケーハイニックス株式会社 | 2012年12月12日 |
197 件中 1-15 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
5105741 5105785 5105835 5105862 5105791 5105821 5105978 5108206 5106002 5100198 5100981 5100218 5102268 5102812 5093945
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。ニックス株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
4月4日(金) -
4月4日(金) -
4月9日(水) -
4月9日(水) -
4月10日(木) - 東京 港区赤坂3-9-1 紀陽ビル4階
【セミナー｜知財業界で働くなら知っておくべき】知財部長と代表弁理士が伝える、知財部と事務所の違いとは〈4/10(木)19時～〉
4月11日(金) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
〒445-0802 愛知県西尾市米津町蓮台６－１０ 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
東京都府中市寿町一丁目１－１１ 第２福井ビル５階 No.2 Fukui Bldg. 5F 1-11, Kotobukicho 1chome, Fuchu-shi Tokyo JAPAN 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
岐阜県各務原市つつじが丘１丁目１１１番地 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 コンサルティング
