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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第1035位 26件
(
2020年:第1158位 22件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第862位 24件
(
2020年:第1077位 18件)
(ランキング更新日:2026年1月8日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2021-197191 | 抵抗変化型シナプスアレイ装置 | 2021年12月27日 | |
| 特開 2021-190139 | 半導体記憶装置および読出し方法 | 2021年12月13日 | |
| 特開 2021-185514 | 電圧生成回路およびこれを用いた半導体装置 | 2021年12月 9日 | |
| 特開 2021-185516 | 定電流回路 | 2021年12月 9日 | |
| 特開 2021-184324 | 半導体記憶装置および読出し方法 | 2021年12月 2日 | |
| 特開 2021-180058 | 半導体記憶装置およびECC関連情報の読出し方法 | 2021年11月18日 | |
| 特開 2021-177438 | パワーダウン検出回路および半導体記憶装置 | 2021年11月11日 | |
| 特開 2021-174561 | 半導体記憶装置 | 2021年11月 1日 | |
| 特開 2021-174562 | 半導体装置 | 2021年11月 1日 | |
| 特開 2021-174787 | NAND型フラッシュメモリおよびその製造方法 | 2021年11月 1日 | |
| 特開 2021-175007 | 発振回路 | 2021年11月 1日 | |
| 特開 2021-163352 | 半導体記憶装置および読出し方法 | 2021年10月11日 | |
| 特開 2021-163511 | 半導体記憶装置 | 2021年10月11日 | |
| 特開 2021-140834 | 半導体記憶装置および読出し方法 | 2021年 9月16日 | |
| 特開 2021-140840 | 半導体記憶装置 | 2021年 9月16日 |
26 件中 1-15 件を表示
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2021-197191 2021-190139 2021-185514 2021-185516 2021-184324 2021-180058 2021-177438 2021-174561 2021-174562 2021-174787 2021-175007 2021-163352 2021-163511 2021-140834 2021-140840
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