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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6985431 | 抵抗変化型記憶装置 | 2021年12月22日 | |
特許 6982127 | 半導体記憶装置 | 2021年12月17日 | |
特許 6975296 | 半導体記憶装置および動作方法 | 2021年12月 1日 | |
特許 6968941 | 抵抗変化型クロスバーアレイ装置 | 2021年11月24日 | |
特許 6970769 | 半導体装置 | 2021年11月24日 | |
特許 6972223 | NAND型フラッシュメモリおよびその製造方法 | 2021年11月24日 | |
特許 6966587 | 半導体記憶装置および読出し方法 | 2021年11月17日 | |
特許 6928698 | 半導体装置および読出し方法 | 2021年 9月 1日 | |
特許 6908738 | 抵抗変化型記憶装置 | 2021年 7月28日 | |
特許 6908762 | パワーダウン検出回路および半導体記憶装置 | 2021年 7月28日 | |
特許 6901515 | 半導体装置 | 2021年 7月14日 | |
特許 6899024 | 抵抗変化型シナプスアレイ装置 | 2021年 7月 7日 | |
特許 6895002 | 半導体記憶装置および読出し方法 | 2021年 6月30日 | |
特許 6886544 | 発振回路 | 2021年 6月16日 | |
特許 6886545 | パワーダウン検出回路および半導体記憶装置 | 2021年 6月16日 |
24 件中 1-15 件を表示
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6985431 6982127 6975296 6968941 6970769 6972223 6966587 6928698 6908738 6908762 6901515 6899024 6895002 6886544 6886545
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