出願人名に「シルトロニック」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 4829176 | 単結晶の製造方法 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | 2011年12月 7日 |
| 特許 4790211 | ＳＯＩ基板と半導体基板及びその製造方法 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | 2011年10月12日 |
| 特許 4700333 | シリコンウエーハ用の高純度アルカリエッチング液およびシリコンウエーハアルカリエッチング方法 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | 2011年 6月15日 |
| 特許 4700324 | 半導体基板の製造方法 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | 2011年 6月15日 |
| 特許 4634553 | シリコン単結晶ウエーハおよびその製造方法 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | 2011年 2月16日 |
| 特許 4615785 | 窒素添加基板を用いたエピ層欠陥のないエピタキシャルウエハの製造方法 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | 2011年 1月19日 |
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4829176 4790211 4700333 4700324 4634553 4615785
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