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出願人名に「ワイエス電子工業株式会社」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特開 2012-237032 | プラズマ発生装置による絶縁性膜層の成膜方法、プラズマ発生装置による導電性膜層の成膜方法、絶縁性膜層、導電性膜層およびプラズマ発生装置 | ワイエス電子工業株式会社 | 2012年12月 6日 |
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