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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2023-152888 | スイッチング振動を減少させた電子装置 | 2023年10月17日 | |
特開 2023-138469 | 4H-SIC物質と直接コンタクトする3C-SIC層を形成するために4H-SIC物質のウエハを処理するプロセス | 2023年10月 2日 | |
特開 2023-138485 | 3C-SICに基づいてJBS又はMPS等の電子装置を製造する方法及び3C-SIC電子装置 | 2023年10月 2日 | |
特開 2023-112681 | HEMT装置のオーミックコンタクトの製造方法及びHEMT装置 | 2023年 8月14日 | |
特開 2023-110900 | ナノラミネート絶縁ゲート構造を有するワイドバンドギャップトランジスタ及びワイドバンドギャップトランジスタの製造方法 | 2023年 8月 9日 | |
特開 2023-79185 | 堅牢性を向上させたSICを基礎とする電子装置及びその電子装置を製造する方法 | 2023年 6月 7日 | |
特開 2023-79186 | SICを基礎とした電子装置のアンカー要素の製造方法、アンカー要素、及び電子装置 | 2023年 6月 7日 | |
特開 2023-67790 | 短絡保護を具備する半導体パワー装置及び半導体パワー装置を製造するプロセス | 2023年 5月16日 | |
特開 2023-64715 | 応力緩和及び損傷回復のために薄いSICウエハに適用されるCMP処理 | 2023年 5月11日 | |
特開 2023-49005 | 集積化抵抗を具備するシリコンカーバイドパワー装置及びその製造方法 | 2023年 4月 7日 | |
特開 2023-44722 | シリコンカーバイドに基づくMPS装置におけるJBダイオードとショットキーダイオードの文脈的形成及びMPS装置 | 2023年 3月31日 |
11 件中 1-11 件を表示
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2023-152888 2023-138469 2023-138485 2023-112681 2023-110900 2023-79185 2023-79186 2023-67790 2023-64715 2023-49005 2023-44722
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12月1日(日) -
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