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エスティーマイクロエレクトロニクス　エス．アール．エル．

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エスティーマイクロエレクトロニクス　エス．アール．エル．の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2022-125984	改良したゲートバイアス構造を有する垂直導通シリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴ装置及びその製造方法	2022年 8月29日
特開 2022-119192	電気的性能を改良したＪＢＳ装置及び該ＪＢＳ装置の製造方法	2022年 8月16日
特開 2022-119194	ＪＢＳダイオードを有する垂直導通電子装置及びその製造方法	2022年 8月16日
特開 2022-117454	パワー適用例用のシリコンカーバイド垂直導通ＭＯＳＦＥＴ装置及びその製造方法	2022年 8月10日
特開 2022-117495	シリコンカーバイド垂直導通ＭＯＳＦＥＴ装置及びその製造方法	2022年 8月10日
特開 2022-101513	改良した特性を有するシリコンカーバイドＭＯＳＦＥＴトランジスタ装置及び対応する製造プロセス	2022年 7月 6日
特開 2022-85874	残留応力制御を有するＳｉＣウエハの製造方法	2022年 6月 8日
特開 2022-48118	信頼性及び検査能力を改善したパッケージ化半導体装置及びその製造方法	2022年 3月25日
特開 2022-43997	信頼性を改善した電子装置の要素の製造方法、及び関連要素、電子装置、及び電子機器	2022年 3月16日
特開 2022-23808	ＳｉＣに基づくスケーラブルＭＰＳ装置、ＭＰＳ装置製造方法、及び該ＭＰＳ装置を有する電子機器	2022年 2月 8日
特開 2022-19598	改良した電気的特性を有するＪＢＳダイオードを有するワイドバンドギャップ半導体電子装置及びその製造方法	2022年 1月27日
特開 2022-14457	改良した特性を有するシリコンカーバイド半導体装置の製造方法	2022年 1月19日
特開 2022-3683	短絡回路性能を改良した４Ｈ−ＳｉＣ電子装置及びその製造方法	2022年 1月11日
特開 2022-3685	ＳｉＣに基づくＵＶ照射検知器装置を製造する方法及びＳｉＣに基づくＵＶ照射検知器装置	2022年 1月11日

14 件中 1-14 件を表示

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2022-125984 2022-119192 2022-119194 2022-117454 2022-117495 2022-101513 2022-85874 2022-48118 2022-43997 2022-23808 2022-19598 2022-14457 2022-3683 2022-3685

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