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エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル.

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  2022年 出願公開件数ランキング    第1629位 14件 上昇2021年:第5574位 3件)

  2022年 特許取得件数ランキング    第27906位 0件 下降2021年:第25492位 0件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2022-125984 改良したゲートバイアス構造を有する垂直導通シリコンカーバイドMOSFET装置及びその製造方法 2022年 8月29日
特開 2022-119192 電気的性能を改良したJBS装置及び該JBS装置の製造方法 2022年 8月16日
特開 2022-119194 JBSダイオードを有する垂直導通電子装置及びその製造方法 2022年 8月16日
特開 2022-117454 パワー適用例用のシリコンカーバイド垂直導通MOSFET装置及びその製造方法 2022年 8月10日
特開 2022-117495 シリコンカーバイド垂直導通MOSFET装置及びその製造方法 2022年 8月10日
特開 2022-101513 改良した特性を有するシリコンカーバイドMOSFETトランジスタ装置及び対応する製造プロセス 2022年 7月 6日
特開 2022-85874 残留応力制御を有するSiCウエハの製造方法 2022年 6月 8日
特開 2022-48118 信頼性及び検査能力を改善したパッケージ化半導体装置及びその製造方法 2022年 3月25日
特開 2022-43997 信頼性を改善した電子装置の要素の製造方法、及び関連要素、電子装置、及び電子機器 2022年 3月16日
特開 2022-23808 SiCに基づくスケーラブルMPS装置、MPS装置製造方法、及び該MPS装置を有する電子機器 2022年 2月 8日
特開 2022-19598 改良した電気的特性を有するJBSダイオードを有するワイドバンドギャップ半導体電子装置及びその製造方法 2022年 1月27日
特開 2022-14457 改良した特性を有するシリコンカーバイド半導体装置の製造方法 2022年 1月19日
特開 2022-3683 短絡回路性能を改良した4H−SiC電子装置及びその製造方法 2022年 1月11日
特開 2022-3685 SiCに基づくUV照射検知器装置を製造する方法及びSiCに基づくUV照射検知器装置 2022年 1月11日

14 件中 1-14 件を表示

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2022-125984 2022-119192 2022-119194 2022-117454 2022-117495 2022-101513 2022-85874 2022-48118 2022-43997 2022-23808 2022-19598 2022-14457 2022-3683 2022-3685

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