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トランスルーセント インコーポレイテッド
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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第33468位 0件
（
2017年：第4465位 4件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第5366位 2件
（
2017年：第24017位 0件）
（ランキング更新日：2025年4月15日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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トランスルーセント インコーポレイテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6375376 | エピツイストを利用したシリコン基板上のＧａＮ | 2018年 8月15日 | |
| 特許 6304899 | 希土類酸化物ゲート誘電体を備えた、シリコン基板上に成長したＩＩＩ−Ｎ半導体素子 | 2018年 4月 4日 |
2 件中 1-2 件を表示
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6375376 6304899
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