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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第2345位 9件
(2018年:第3520位 5件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第23568位 0件
(2018年:第23370位 0件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特表 2019-534556 | 表側面型撮像素子およびその素子の製造方法 | 2019年11月28日 | |
特表 2019-523743 | 層を製造するための方法 | 2019年 8月29日 | |
特表 2019-521509 | 歪みセミコンダクタ・オン・インシュレータ(strained semiconductor−on−insulator)基板の製造方法 | 2019年 7月25日 | |
特表 2019-521510 | 歪みセミコンダクタ・オン・インシュレータ(strained semiconductor−on−insulator)基板の製造方法 | 2019年 7月25日 | |
特表 2019-519154 | 注入後の基板からの分離により得られる層中の欠陥の修復方法 | 2019年 7月 4日 | |
特表 2019-511112 | ドナー基板への注入のための適切なエネルギーの決定方法、およびセミコンダクタ・オン・インシュレータ(Semiconductor−on−insulator)構造体の組立方法 | 2019年 4月18日 | |
特表 2019-508924 | 単結晶層、特に圧電層の製造方法 | 2019年 3月28日 | |
特表 2019-506782 | 単結晶圧電層、およびそのような層を含むマイクロエレクトロニクスデバイス、光子デバイスまたは光学デバイスの作製方法 | 2019年 3月 7日 | |
特表 2019-506043 | 温度補償表面音響波デバイスまたはバルク音響波デバイス用の基板 | 2019年 2月28日 |
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