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出願人名に「中国科学院物理研究所」を含むもの
| 公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
|---|---|---|---|
| 特許 4959717 | 磁性メモリセル、磁気ランダムアクセスメモリ、および、そのアクセス記憶方法 | 中国科学院物理研究所 | 2012年 6月27日 |
| 特許 4880669 | 磁気／非磁気／磁気多層フィルムに用いられるコア複合膜及びその用途 | 中国科学院物理研究所 | 2012年 2月22日 |
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4959717 4880669
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