ホーム > 特許ランキング > 中国科学院物理研究所 > 2012年 > 特許一覧
公報番号 | 発明の名称 | 出願人 | 公報発行日 |
---|---|---|---|
特許 4959717 | 磁性メモリセル、磁気ランダムアクセスメモリ、および、そのアクセス記憶方法 | 中国科学院物理研究所 | 2012年 6月27日 |
特許 4880669 | 磁気/非磁気/磁気多層フィルムに用いられるコア複合膜及びその用途 | 中国科学院物理研究所 | 2012年 2月22日 |
2 件中 1-2 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
4959717 4880669
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。中国科学院物理研究所の知財の動向チェックに便利です。
6月23日(月) -
6月24日(火) -
6月24日(火) -
6月25日(水) -
6月25日(水) -
6月25日(水) -
6月25日(水) -
6月25日(水) -
6月26日(木) -
6月26日(木) -
6月26日(木) -
6月27日(金) -
6月27日(金) - 大阪 大阪市
6月27日(金) -
6月27日(金) -
6月27日(金) -
6月23日(月) -
7月1日(火) -
7月2日(水) -
7月2日(水) -
7月3日(木) -
7月3日(木) -
7月1日(火) -
東京都新宿区四谷2-12-5 四谷ISYビル3階 PDI特許商標事務所内 特許・実用新案 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒152-0034 東京都目黒区緑が丘一丁目16番7号 意匠 商標 外国商標 訴訟 コンサルティング
〒105-0001 東京都港区虎ノ門1丁目14番1号 郵政福祉琴平ビル 3階 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング