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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第2480位 8件
(2014年: 0件)
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第846位 25件
(2014年: 0件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 5838130 | 燐光変換発光装置 | 2015年12月24日 | |
特許 5838155 | コンタクトが凹凸面上に形成された半導体発光デバイス、及びその製造方法 | 2015年12月24日 | |
特許 5833803 | 半導体発光装置のためのパッケージ | 2015年12月16日 | |
特許 5813620 | 集積電子構成要素を有する半導体発光装置 | 2015年11月17日 | |
特許 5771198 | 半導体発光デバイス上に誘電体層を形成する方法 | 2015年 8月26日 | |
特許 5763737 | 波長変換要素側面保持放熱板を有する照明装置 | 2015年 8月12日 | |
特許 5754886 | 歪み低減のためにテンプレート上で成長させたIII−窒化物発光デバイス | 2015年 7月29日 | |
特許 5746505 | 光結晶及び発光セラミックを含む光放射デバイス | 2015年 7月 8日 | |
特許 5741996 | 発光素子 | 2015年 7月 1日 | |
特許 5744116 | 波長変換型半導体発光デバイス | 2015年 7月 1日 | |
特許 5744147 | 集積電子構成要素を有する半導体発光装置 | 2015年 7月 1日 | |
特許 5734190 | 複合基板上に成長された半導体発光デバイス | 2015年 6月17日 | |
特許 5734239 | III−V族発光デバイスを成長させるための基板 | 2015年 6月17日 | |
特許 5733876 | フリップ型発光ダイオードをもつ薄型バックライト | 2015年 6月10日 | |
特許 5727320 | エピタキシャル層を有するAlGaInNベースLED | 2015年 6月 3日 |
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5838130 5838155 5833803 5813620 5771198 5763737 5754886 5746505 5741996 5744116 5744147 5734190 5734239 5733876 5727320
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