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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第2557位 8件
(
2018年:第1721位 13件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第1635位 10件
(
2018年:第2192位 7件)
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特表 2019-533876 | プログラムバイアス及び高速センシングを有するセンスアンプ | 2019年11月21日 | |
| 特表 2019-527449 | 残留電子をパージするためのワード線減少スキーム | 2019年 9月26日 | |
| 特表 2019-521463 | プログラム性能の改良のためのプログラム検証中の注入型擾乱の制御がカスタマイズされる不揮発性メモリ | 2019年 7月25日 | |
| 特開 2019-117680 | 不揮発性メモリのための負の閾値感知を用いたセンスアンプ | 2019年 7月18日 | |
| 特開 2019-75533 | クロスポイント型スピン蓄積トルクMRAM | 2019年 5月16日 | |
| 特表 2019-511802 | 階層選択ゲートトランジスタを有するNAND構造 | 2019年 4月25日 | |
| 特表 2019-510362 | 垂直方向に隔離された電荷蓄積領域を含む3次元メモリデバイスおよびその形成方法 | 2019年 4月11日 | |
| 特開 2019-23863 | メモリコマンド、タイミングおよび/または制御信号のオンダイ制御のためのシステムおよび方法 | 2019年 2月14日 |
8 件中 1-8 件を表示
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2019-533876 2019-527449 2019-521463 2019-117680 2019-75533 2019-511802 2019-510362 2019-23863
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