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サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド
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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第1721位 13件
（
2017年：第12799位 1件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第2192位 7件
（2017年：第8798位 1件）
（ランキング更新日：2025年3月28日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッドの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
特表 2018-537842
|
３次元メモリ用の単結晶シリコンを有する選択ゲートトランジスタ | 2018年12月20日 | |
| 特表 2018-536959
|
メモリのワード線依存チャネルのプリチャージ | 2018年12月13日 | |
| 特表 2018-536277
|
５重メモリ積層構造体構成を有する３Ｄ ＮＡＮＤデバイス | 2018年12月 6日 | |
| 特表 2018-534765
|
３次元メモリデバイスのためのメモリレベル貫通ビア構造 | 2018年11月22日 | |
| 特開 2018-174013
|
ダイナミックストローブタイミング | 2018年11月 8日 | |
| 特表 2018-530096
|
メモリデバイスにおける異なるセンスノード電圧を使用するベリファイ動作 | 2018年10月11日 | |
| 特開 2018-160233
|
ダイ上信号較正 | 2018年10月11日 | |
| 特開 2018-152127
|
注釈付きアトミック書き込み操作を行う方法および装置 | 2018年 9月27日 | |
| 特開 2018-147549
|
メモリ内の第１の読出対応 | 2018年 9月20日 | |
| 特開 2018-125025
|
適応持続性システム、方法、インタフェース | 2018年 8月 9日 | |
| 特表 2018-515906
|
３次元Ｐ−Ｉ−Ｎメモリデバイスおよび正孔電流検出を用いたその読取方法 | 2018年 6月14日 | |
| 特表 2018-513516
|
不揮発性メモリのための多状態プログラミング | 2018年 5月24日 | |
| 特表 2018-511872
|
遅延補償 | 2018年 4月26日 |
13 件中 1-13 件を表示
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2018-537842 2018-536959 2018-536277 2018-534765 2018-174013 2018-530096 2018-160233 2018-152127 2018-147549 2018-125025 2018-515906 2018-513516 2018-511872
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