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サンディスク テクノロジーズ インコーポレイテッド

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 ■ 2018年 出願公開件数ランキング    第1627位 13件 (上昇2017年:第12039位 1件)

 ■ 2018年 特許取得件数ランキング    第2192位 7件 (上昇2017年:第8780位 1件)

(ランキング更新日:2026年10月22日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特表 2018-537842 3次元メモリ用の単結晶シリコンを有する選択ゲートトランジスタ 2018年12月20日
特表 2018-536959 メモリのワード線依存チャネルのプリチャージ 2018年12月13日
特表 2018-536277 5重メモリ積層構造体構成を有する3D NANDデバイス 2018年12月 6日
特表 2018-534765 3次元メモリデバイスのためのメモリレベル貫通ビア構造 2018年11月22日
特開 2018-174013 ダイナミックストローブタイミング 2018年11月 8日
特表 2018-530096 メモリデバイスにおける異なるセンスノード電圧を使用するベリファイ動作 2018年10月11日
特開 2018-160233 ダイ上信号較正 2018年10月11日
特開 2018-152127 注釈付きアトミック書き込み操作を行う方法および装置 2018年 9月27日
特開 2018-147549 メモリ内の第1の読出対応 2018年 9月20日
特開 2018-125025 適応持続性システム、方法、インタフェース 2018年 8月 9日
特表 2018-515906 3次元P−I−Nメモリデバイスおよび正孔電流検出を用いたその読取方法 2018年 6月14日
特表 2018-513516 不揮発性メモリのための多状態プログラミング 2018年 5月24日
特表 2018-511872 遅延補償 2018年 4月26日

13 件中 1-13 件を表示

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2018-537842 2018-536959 2018-536277 2018-534765 2018-174013 2018-530096 2018-160233 2018-152127 2018-147549 2018-125025 2018-515906 2018-513516 2018-511872

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