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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6970242 | 逆の順序のプログラムのためのソース側プリチャージ及びブーストの改善 | 2021年11月24日 | |
特許 6971418 | 小さなスイングの電圧感知を提供するセンスアンプアーキテクチャ | 2021年11月24日 | |
特許 6968304 | クロスポイントメモリアレイ内のセレクタの閾値下電圧形成 | 2021年11月17日 | |
特許 6925466 | 3D不揮発性メモリのサブブロックサイズ低減 | 2021年 8月25日 | |
特許 6905127 | プログラム(PROGAM)検証スキップを備える不揮発性メモリ | 2021年 7月21日 | |
特許 6903198 | サブブロックメモリ動作のためのピーク及び平均電流低減 | 2021年 7月14日 | |
特許 6832461 | メモリセルゆがみの緩和 | 2021年 2月24日 | |
特許 6820409 | プログラムバイアス及び高速センシングを有するセンスアンプ | 2021年 1月27日 | |
特許 6821776 | セレクタ電圧補償を用いる磁気ランダムアクセスメモリ | 2021年 1月27日 |
9 件中 1-9 件を表示
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6970242 6971418 6968304 6925466 6905127 6903198 6832461 6820409 6821776
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