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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6420504 | メモリデバイスにおける異なるセンスノード電圧を使用するベリファイ動作 | 2018年11月 7日 | |
特許 6392996 | 3次元P−I−Nメモリデバイスおよび正孔電流検出を用いたその読取方法 | 2018年 9月19日 | |
特許 6363951 | 感知ポイントなしでプラグインカードのインターフェイスを用いて伝達される信号を感知するシステムおよび方法 | 2018年 7月25日 | |
特許 6353843 | メモリアクセス制御モジュールおよびこれに関連する方法 | 2018年 7月 4日 | |
特許 6346303 | メモリモジュール | 2018年 6月20日 | |
特許 6322774 | 遅延補償 | 2018年 5月 9日 | |
特許 6290405 | 記憶一貫性のためのシステムおよび方法 | 2018年 3月 7日 |
7 件中 1-7 件を表示
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6420504 6392996 6363951 6353843 6346303 6322774 6290405
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