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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第664位 50件 (2010年:第487位 87件)
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第710位 41件 (2010年:第735位 33件)
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公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2011-258782 | 窒化物半導体基板 | 2011年12月22日 | |
特開 2011-250939 | エンドトキシン吸着除去材 | 2011年12月15日 | |
特開 2011-242086 | 高伝熱性ラジアントチューブ | 2011年12月 1日 | |
特開 2011-233556 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2011年11月17日 | |
特開 2011-219300 | シリコン単結晶の製造方法及びそれに用いられるシリコン単結晶引上装置 | 2011年11月 4日 | |
特開 2011-213540 | シリコン含浸炭化ケイ素セラミックス及びその製造方法 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-213515 | 溶融用ルツボとその製造方法 | 2011年10月27日 | |
特開 2011-207684 | 炉芯管及びこれを用いた炉芯管複合部材 | 2011年10月20日 | |
特開 2011-208765 | セラミックス管及びその製造方法 | 2011年10月20日 | |
特開 2011-201757 | シリコン単結晶の製造方法 | 2011年10月13日 | |
特開 2011-184213 | シリコン単結晶の製造方法 | 2011年 9月22日 | |
特開 2011-184270 | 多結晶シリコン製造用部材およびその製造方法 | 2011年 9月22日 | |
特開 2011-173760 | 繊維強化複合セラミックス材料の製造方法、及び繊維強化複合セラミックス材料 | 2011年 9月 8日 | |
特開 2011-171402 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2011年 9月 1日 | |
特開 2011-171414 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2011年 9月 1日 |
50 件中 1-15 件を表示
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2011-258782 2011-250939 2011-242086 2011-233556 2011-219300 2011-213540 2011-213515 2011-207684 2011-208765 2011-201757 2011-184213 2011-184270 2011-173760 2011-171402 2011-171414
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9月25日(水) -
最新の制度改正を反映 海外の特許制度と実務上の留意点(米国・欧州(EPC)・中国)~米国ならびに EPC (欧州特許条約)・中国の各制度の下でのグローバル特許取得の基本的な知識と留意点を解説します~
9月25日(水) - 東京 港
9月25日(水) -
9月25日(水) - 愛知 名古屋市
9月25日(水) - 東京 千代田区
9月25日(水) - 東京 千代田区
9月26日(木) -
9月26日(木) -
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9月27日(金) - 東京 港区
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