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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第873位 32件
(2020年:第1071位 24件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第994位 20件
(2020年:第951位 21件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2021-97040 | 被覆粒子及びそれを含む導電性材料 | 2021年 6月24日 | |
特開 2021-97041 | 被覆粒子及びそれを含む導電性材料 | 2021年 6月24日 | |
特開 2021-97042 | 被覆粒子及びそれを含む導電性材料 | 2021年 6月24日 | |
特開 2021-75406 | オルト珪酸リチウムの製造方法、メタ珪酸リチウムの製造方法及び炭酸ガス吸収材料の製造方法 | 2021年 5月20日 | |
特開 2021-66833 | 導電性接着剤、それを用いた接着構造体及び電子部品 | 2021年 4月30日 | |
再表 2019-188679 | InP量子ドットの製造方法 | 2021年 4月22日 | |
特開 2021-62994 | 熱膨張抑制フィラー、その製造方法及びそれを含む複合材料 | 2021年 4月22日 | |
特開 2021-62995 | バナジウム化合物の製造方法 | 2021年 4月22日 | |
特開 2021-64591 | 被覆粒子及びそれを含む導電性材料、並びに被覆粒子の製造方法 | 2021年 4月22日 | |
再表 2019-188680 | シリルホスフィン化合物、シリルホスフィン化合物の製造方法及びInP量子ドットの製造方法 | 2021年 4月 1日 | |
再表 2020-31690 | ピロリン酸コバルトリチウムの製造方法及びピロリン酸コバルトリチウム炭素複合体の製造方法 | 2021年 4月 1日 | |
特開 2021-50232 | ホスフィノベンゼンボラン誘導体の製造方法、1,2−ビス(ジアルキルホスフィノ)ベンゼン誘導体の製造方法及び遷移金属錯体 | 2021年 4月 1日 | |
再表 2020-95796 | 被覆粒子及びそれを含む導電性材料、並びに被覆粒子の製造方法 | 2021年 3月25日 | |
特開 2021-48120 | リチウム二次電池用正極活物質及びリチウム二次電池 | 2021年 3月25日 | |
特開 2021-42098 | 改質リチウムコバルト系複合酸化物粒子の製造方法 | 2021年 3月18日 |
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2021-97040 2021-97041 2021-97042 2021-75406 2021-66833 2019-188679 2021-62994 2021-62995 2021-64591 2019-188680 2020-31690 2021-50232 2020-95796 2021-48120 2021-42098
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