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エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ
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■ 2011年 出願公開件数ランキング 第2484位 8件
（
2010年：第2670位 8件）
■ 2011年 特許取得件数ランキング 第1455位 16件
（2010年：第2005位 9件）
（ランキング更新日：2025年8月8日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称 | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特開 2011-222940 | ＳｅＯＩ上の疑似インバータ回路 | 2011年11月 4日 | |
| 特開 2011-192373 | メモリ用ナノセンス増幅器 | 2011年 9月29日 | |
| 特開 2011-166116 | 絶縁膜下の埋め込みバック・コントロール・ゲートを有するＳｅＯＩ上の同型のトランジスタからなる回路 | 2011年 8月25日 | |
| 特開 2011-146685 | 縦型バイポーラインジェクタを有するＤＲＡＭメモリセル | 2011年 7月28日 | |
| 特開 2011-123985 | 第２のコントロールゲートを絶縁層の下に埋め込んだＳｅＯＩＤＲＡＭメモリセルをコントロールする方法 | 2011年 6月23日 | |
| 特開 2011-124552 | 絶縁層の下に埋め込まれた第２のコントロールゲートを有するＳｅＯＩ上のフラッシュメモリセル | 2011年 6月23日 | |
| 特開 2011-109125 | ボンディング層が消滅する間接ボンディング | 2011年 6月 2日 | |
| 特開 2011-103471 | 基板層切断装置及び方法 | 2011年 5月26日 |
8 件中 1-8 件を表示
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2011-222940 2011-192373 2011-166116 2011-146685 2011-123985 2011-124552 2011-109125 2011-103471
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